Descrição do laminado de tecido de vidro epóxi com grau de semicondutor

O laminado de tecido de vidro epóxi de grau semicondutor foi projetado para atender aos padrões exatos de fabricação de microeletrônica. O material é composto por um tecido contínuo de vidro impregnado com um sistema de resina epóxi modificado, formulado para minimizar as impurezas iônicas e a liberação de gases. Ele atinge uma temperatura de transição vítrea (Tg) de 190°C, garantindo estabilidade dimensional durante a soldagem e o ciclo térmico, enquanto sua condutividade térmica de 0,3 W/m-K melhora a dissipação de calor em dispositivos de alta potência. A taxa de desgaseificação do laminado é inferior a 0,01%, de acordo com a norma ASTM E595, evitando a contaminação em câmaras de vácuo, e seu nível de contaminação iônica é inferior a 0,5 μg/cm² para íons de sódio e cloreto, o que é fundamental para evitar a corrosão em pacotes de semicondutores. A absorção de umidade permanece abaixo de 0,05% após 24 horas de imersão, preservando a constante dielétrica (4,2-4,8) e a estabilidade do fator de dissipação (0,01-0,015) em ambientes de sala limpa. O coeficiente de expansão térmica (CTE) do material está alinhado com o silício (3,2 ppm/°C), reduzindo o estresse durante o ciclo térmico. A resistividade da superfície e a resistividade do volume excedem 1×10¹⁴ Ω-cm, garantindo a segurança da descarga eletrostática (ESD) no manuseio de chips de menos de 10 nm. Seu acabamento de superfície liso (Ra ≤ 0,8 μm) minimiza a geração de partículas durante os processos de dicing e colagem, enquanto sua compatibilidade com os processos de gravação a plasma e deposição de vapor químico (CVD) o torna adequado para o empacotamento em nível de wafer.

Aplicações do laminado de tecido de vidro epóxi de grau semicondutor

Esse laminado é fundamental na fabricação de semicondutores e na montagem de eletrônicos avançados. Nas plantas de fabricação de wafer, ele é usado para cápsulas de retícula, suportes de wafer e estágios de alinhamento de fotolitografia devido à sua baixa liberação de gases e estabilidade térmica. A pureza e a resistência a ESD do material o tornam ideal para cartões de sonda, soquetes de teste e montagens de chip em placa (COB) em testes de circuitos integrados (IC). Também é empregado em bases de embalagens herméticas para módulos de RF e dispositivos MEMS, em que seu CTE corresponde ao silício para evitar a fadiga da junta de solda. Além disso, a resistência química do laminado a solventes, ácidos e álcalis favorece seu uso em dispositivos de planarização químico-mecânica (CMP) e banhos de galvanoplastia.

Embalagem de laminado de tecido de vidro epóxi de grau semicondutor

Nossos produtos são embalados em caixas de papelão personalizadas de vários tamanhos com base nas dimensões do material. Os itens pequenos são embalados com segurança em caixas de PP, enquanto os itens maiores são colocados em caixas de madeira personalizadas. Asseguramos o cumprimento rigoroso da personalização da embalagem e o uso de materiais de amortecimento adequados para oferecer a melhor proteção durante o transporte.

Embalagem: Caixa de papelão, caixa de madeira ou personalizada.

Por favor, examine os detalhes da embalagem fornecidos para sua referência.

Processo de fabricação

1)Método de teste

(1)Análise da composição química - Verificada por meio de técnicas como GDMS ou XRF para garantir a conformidade com os requisitos de pureza.

(2)Teste de propriedades mecânicas - Inclui testes de resistência à tração, resistência ao escoamento e alongamento para avaliar o desempenho do material.

(3)Inspeção dimensional - Mede a espessura, a largura e o comprimento para garantir a aderência às tolerâncias especificadas.

(4)Inspeção da qualidade da superfície - Verifica se há defeitos como arranhões, rachaduras ou inclusões por meio de exame visual e ultrassônico.

(5)Teste de dureza - Determina a dureza do material para confirmar a uniformidade e a confiabilidade mecânica.

Consulte os procedimentos de testedo SAM para obter informações detalhadas.

Perguntas frequentes sobre laminados de tecido de vidro epóxi de grau semicondutor

Q1. Como sua expansão térmica se compara à do silício?

Seu CTE é de 3,2 ppm/°C, muito próximo dos 2,6 ppm/°C do silício, minimizando o estresse térmico em pacotes híbridos.

Q2. Ele é capaz de suportar produtos químicos agressivos no processamento de semicondutores?

Sim, ele resiste à degradação de ácido sulfúrico, peróxido de hidrogênio e misturas de hidróxido de amônio (SPM clean) até 120°C.

Q3. Qual é sua temperatura máxima de operação?

O material mantém a integridade estrutural até 200°C, com tolerância de exposição de curto prazo de 220°C durante o refluxo da solda.

Informações relacionadas

1.métodos comuns de preparação

A produção do laminado de tecido de vidro epóxi de grau semicondutor envolve um processo de vários estágios que combina formulação de resina de altíssima pureza, reforço de fibra de precisão e cura térmica controlada. Ele começa com um sistema de resina epóxi modificada que usa resina epóxi de bisfenol A, éster de dicianato e um endurecedor fenólico novolac, misturado com cargas de sílica submicrônicas para melhorar a condutividade térmica e reduzir o CTE. A resina é purificada por meio de colunas de troca iônica para remover íons de sódio e cloreto abaixo de 0,5 μg/cm². O tecido de vidro contínuo, normalmente do tipo S-glass com densidade de trama de 150 a 300 g/m², é submetido a um tratamento de superfície com agentes de acoplamento de amino-silano para melhorar a adesão. No estágio de pré-impregnação, o tecido de vidro é saturado com o sistema de resina usando um processo de fusão a quente sem solvente, com o conteúdo de resina controlado para 25-30% em peso para minimizar os vazios. O tecido impregnado é parcialmente curado em um forno purgado com nitrogênio a 130-160°C para criar um material de estágio B com conteúdo volátil <0,1%. Para a laminação, várias camadas de pré-impregnado são empilhadas com orientação [0/90] e prensadas sob pressão de 10-15 MPa, enquanto a temperatura varia de 100°C a 200°C ao longo de 5 horas, garantindo a reticulação completa e uma Tg superior a 190°C. Após a cura, o laminado passa por uma usinagem de precisão, incluindo lapidação de diamante para acabamento da superfície (Ra ≤ 0,8μm) e corte a jato de água para qualidade da borda. O controle de qualidade envolve testes de desgaseificação (<0,01% TML/CVCM), análise de contaminação iônica (ICP-MS) e ciclagem térmica (-40°C a 200°C por 500 ciclos) para validar o desempenho em ambientes de semicondutores.