CY8561 Wafer de carbeto de silício Substrato de SiC 2 em 4H tipo SEMI (HPSI)

Wafer de carboneto de silício Substrato de SiC de 2 pol. 4H tipo SEMI (HPSI) Descrição

Experimente um desempenho excepcional com nosso wafer de carbeto de silício (SiC) de 2" 4H tipo SEMI (HPSI). Conhecido por seu amplo bandgap e excelente condutividade térmica, esse substrato oferece manuseio de potência superior e suporta operação em alta frequência. O polímero 4H oferece excepcional mobilidade de elétrons, o que o torna adequado para dispositivos avançados de energia, aplicações de RF e eletrônicos de alta temperatura. Suas propriedades de semi-isolamento ajudam a minimizar a condução parasita, garantindo uma operação mais eficiente do dispositivo e a redução da perda de energia.

Fabricado sob rigoroso controle de qualidade e de acordo com os padrões SEMI, cada wafer passa por uma inspeção rigorosa quanto à uniformidade da espessura, baixa densidade de defeitos e qualidade da superfície, o que garante um desempenho confiável e consistente, permitindo que engenheiros e pesquisadores ultrapassem os limites da eletrônica de potência, das telecomunicações e de outras aplicações exigentes. Confie em nosso wafer de SiC por sua durabilidade comprovada, estabilidade térmica e excelência inigualável em materiais.

Wafer de carbeto de silício Substrato de SiC 2 em 4H Aplicações do tipo SEMI (HPSI)

O wafer de carbeto de silício SiC substrato 2 em 4H tipo SEMI (HPSI) é conhecido por sua excelente largura de banda, estabilidade química robusta e alta condutividade térmica. Essas propriedades fundamentais fazem dele uma opção versátil em vários campos, permitindo soluções confiáveis e de alto desempenho em ambientes industriais, de pesquisa e comerciais. Com durabilidade superior e recursos de manuseio de energia, esse substrato dá suporte a desenvolvimentos inovadores em eletrônica avançada e muito mais.

1. aplicações industriais

-Sensores de alta temperatura e módulos de controle de potência usados na produção automotiva, onde a estabilidade térmica e a alta resistência à ruptura são essenciais.

-Componentes resistentes à corrosão no processamento químico e petroquímico, que se beneficiam da excelente inércia química do wafer.

2. aplicações de pesquisa

-Protótipos de semicondutores de última geração com foco em materiais de banda larga, apoiando estudos em eletrônica avançada.

-Experimentos de caracterização de materiais em laboratórios de P&D universitários e privados, aproveitando a qualidade cristalográfica consistente do substrato.

3. aplicações comerciais

-Eletrônica de potência de alta eficiência em sistemas de energia renovável, como inversores solares, utilizando a condutividade térmica superior do substrato.

-Soluções de carregamento rápido e módulos de energia de dispositivos portáteis para eletrônicos de consumo, beneficiando-se da confiabilidade aprimorada e da geração reduzida de calor.

Substrato de SiC de wafer de carbeto de silício 2 em embalagem 4H tipo SEMI (HPSI)

Cada wafer de carbeto de silício de 2 polegadas do tipo 4H SEMI (HPSI) é fixado usando inserções de espuma antiestática em um contêiner de wafer limpo e selado para evitar a contaminação por poeira ou partículas. O contêiner é então selado a vácuo em sacos de barreira contra umidade e rotulado para rastreabilidade. O armazenamento de longo prazo requer um ambiente controlado de baixa umidade e temperatura estável. Soluções de embalagem personalizadas podem ser organizadas para atender a requisitos exclusivos de remessa, manuseio ou armazenamento.

Embalagem: Selado a vácuo, caixa de madeira ou personalizado.

Perguntas frequentes sobre o substrato de wafer de carbeto de silício SiC 2 em 4H do tipo SEMI (HPSI)

P1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de wafer de carbeto de silício SiC 2 em 4H do tipo SEMI (HPSI)?

A1: O polipropileno 4H do carbeto de silício oferece um amplo bandgap de cerca de 3,26 eV, excepcional condutividade térmica e alta força de campo elétrico crítico. Essas características tornam o wafer ideal para aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura. Além disso, sua estrutura cristalina de alta qualidade garante perfis de dopagem uniformes e desempenho confiável na fabricação de dispositivos semicondutores avançados.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Os wafers de carbeto de silício exigem um manuseio cuidadoso para evitar arranhões na superfície e contaminação por partículas. Use luvas limpas e não abrasivas e entre em contato apenas com as bordas ao fazer a transferência. Armazene os wafers em um recipiente compatível com salas limpas, com exposição mínima à umidade e a partículas transportadas pelo ar. Mantenha um ambiente controlado com níveis estáveis de temperatura e umidade. Inspecione regularmente a área de armazenamento quanto a riscos de contaminação para preservar a integridade do wafer.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao wafer de carbeto de silício SiC Substrate 2 in 4H tipo SEMI (HPSI)?

R3: Esses wafers normalmente estão em conformidade com as normas SEMI M55 e M59 para especificações de substrato de SiC e definições de wafer. Eles passam por rigorosos processos de controle de qualidade, incluindo inspeção óptica e caracterização elétrica. Muitos fabricantes aderem à ISO 9001 para gerenciamento de qualidade e à ISO 14001 para práticas ambientais. Certificações adicionais, como a IATF 16949, são frequentemente buscadas para aplicações relacionadas a automóveis, garantindo confiabilidade e consistência de desempenho.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

Combinando excepcional condutividade térmica com um amplo intervalo de banda, o wafer de carbeto de silício SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI) se destaca por sua tolerância a altas temperaturas e isolamento elétrico superior. Sua estrutura cristalina foi projetada para apresentar baixas densidades de defeitos de rede, garantindo maior mobilidade de portadores e desempenho consistente durante a operação. Esse wafer especializado também demonstra uma estabilidade química notável, o que o torna resistente a ambientes corrosivos e, portanto, adequado para uso em condições exigentes.

O controle cuidadoso dos níveis de dopagem aprimora ainda mais suas qualidades de semi-isolamento, levando a correntes de fuga reduzidas e melhor clareza de sinal. Devido aos perfis de resistividade consistentes em todo o diâmetro de 2 polegadas, os dispositivos fabricados nesse substrato apresentam características elétricas estáveis e interferência mínima. Além disso, a baixa densidade de deslocamento inerente ao politopo 4H reduz a probabilidade de falha do dispositivo, solidificando a confiabilidade desse wafer para aplicações eletrônicas avançadas.

2. Aplicações em setores avançados

Uma extensa pesquisa demonstrou a eficácia do wafer HPSI 4H-SiC em eletrônicos de alta tensão, especialmente em componentes de comutação de potência para sistemas de conversão de energia. Os setores que exigem dispositivos compactos, porém potentes, como os fabricantes de veículos elétricos, se beneficiam muito da capacidade do wafer de lidar com velocidades de comutação rápidas com perda de energia reduzida. Essa vantagem distinta se alinha à crescente necessidade do mercado por soluções eficientes que apoiem as metas de energia sustentável.

As inovações tecnológicas em sistemas aeroespaciais também aproveitam o desempenho robusto desse substrato em condições extremas. A forte resistência do wafer à radiação e a rápida capacidade de dissipação de calor garantem uma operação confiável em aplicações espaciais e ambientes de alta radiação. Esses pontos fortes exclusivos posicionam o wafer de carbeto de silício SiC Substrate 2 in 4H SEMI-type (HPSI) como um ativo essencial no projeto e na fabricação de dispositivos de última geração.