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Descontinuado (Descontinuado) GA2269 Wafer de fosfeto de gálio (GaP)

Número de catálogo. GA2269
Material GaP
Espessura 400um
Diâmetro Ø 2"
Dimensões 2'' de diâmetro x 400um-500um de espessura, 5x5x0,3-0,5mm, 10x10x0,45mm,
Acabamento da superfície Polido/ Não polido/ Polido em um lado (SSP)/ Polido em dois lados (DSP)

O wafer de fosfeto de gálio (GaP) é um importante material semicondutor que possui propriedades elétricas exclusivas em relação a outros materiais compostos III-V. A Stanford Advanced Materials (SAM) fornece wafer de GaP (fosfeto de gálio) monocristalino de alta qualidade para o setor eletrônico e optoeletrônico em diâmetros de até 2 polegadas.

Produtos relacionados: Wafer de nitreto de gálio, Wafer de safira, Wafer de carbeto de silício, Wafer de silício, Wafer de arseneto de gálio, Wafer de germânio (Ge wafer).

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Material
GaP
Espessura
400um
Diâmetro
Ø 2"
Dimensões
2'' de diâmetro x 400um-500um de espessura, 5x5x0,3-0,5mm, 10x10x0,45mm,
Acabamento da superfície
Polido/ Não polido/ Polido em um lado (SSP)/ Polido em dois lados (DSP)
 
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Material
Cobre-gálio (Cu/Ga)
Pureza
99.9% ~ 99.999%
Forma
Pó/grânulo/ personalizado
 
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Pureza
≥99.99%
Número CAS
69365-72-6
Aparência
Cristal
Fórmula química
Ga(NO3)3 - xH2O
 
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Número CAS
12024-22-5
Aparência
Sólido amarelo
Ponto de fusão
1090~1255°C
Fórmula química
Ga2S3

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