Descontinuado (Descontinuado) GA2269 Wafer de fosfeto de gálio (GaP)

Número de catálogo.	GA2269
Material	GaP
Espessura	400um
Diâmetro	Ø 2"
Dimensões	2'' de diâmetro x 400um-500um de espessura, 5x5x0,3-0,5mm, 10x10x0,45mm,

O wafer de fosfeto de gálio (GaP) é um importante material semicondutor que possui propriedades elétricas exclusivas em relação a outros materiais compostos III-V. A Stanford Advanced Materials (SAM) fornece wafer de GaP (fosfeto de gálio) monocristalino de alta qualidade para o setor eletrônico e optoeletrônico em diâmetros de até 2 polegadas.

Produtos relacionados: Wafer de nitreto de gálio, Wafer de safira, Wafer de carbeto de silício, Wafer de silício, Wafer de arseneto de gálio, Wafer de germânio (Ge wafer).

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(Descontinuado) GA2269 Wafer de fosfeto de gálio (GaP)

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Material

GaP

Espessura

400um

Diâmetro

Ø 2"

Dimensões

2'' de diâmetro x 400um-500um de espessura, 5x5x0,3-0,5mm, 10x10x0,45mm,

VD0621 Pelotas de cobre-gálio (Cu/Ga) – Materiais para evaporação

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Material

Cobre-gálio (Cu/Ga)

Pureza

99.9% ~ 99.999%

Forma

Pó/grânulo/ personalizado

VD0744 Pelotas de óxido de zinco dopado com óxido de gálio (ZnO/Ga₂O₃) — Materiais para evaporação

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Material

Óxido de zinco dopado com óxido de gálio

Pureza

99.9% ~ 99.99%

Forma

Pó/grânulo/ personalizado

VD0846 Pelotas de seleneto de gálio (Ga₂Se₃) – Materiais para evaporação

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Material

Seleneto de gálio (Ga2Se3)

Pureza

99.9% ~ 99.999%

Forma

Pó/grânulo/ personalizado

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Gallium Telluride (GaTe) Evaporation Materials

VD0860 Pelotas de telureto de gálio (GaTe) – Materiais para evaporação

Gallium Oxide (Ga2O3) Powder (CAS No.12024-21-4)

OX1127 Pó de óxido de gálio (Ga2O3) (nº CAS 12024-21-4)

GA1143 Gálio metálico (Ga Metal)

Gallium (III) Nitrate Hydrate (Ga(NO3)3) Powder (CAS No.69365-72-6)

GA1145 Nitrato de gálio (III) hidratado (Ga(NO₃)₃) em pó (N.º CAS 69365-72-6)

GA1146 Seleneto de gálio (III) (Ga2Se3) em pó (nº CAS 12024-24-7)

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*Código de controlo

Estrutura cristalina	Cúbica. a =5,4505 ?/FONT>
Método de crescimento	CZ (LEC)
Densidade	4,13 ^g/cm3
Ponto de fusão	1480 ^oC
Expansão térmica	5,3 ^x10-6 / ^oC
Dopante	dopado com S	não dopado
Eixo de crescimento do cristal	<111> ou <100>	<100> ou <111>
Tipo de condutor	N	N
Concentração de portadores	2 ~ 8 ^x1017 ^/cm3	4 ~ 6 ^x1016 ^/cm3
Resistividade	~ 0,03 W-cm	~ 0,3 W-cm
EPD	< ^3x105	< ^3x105

Estrutura do cristal	Cúbica. a =5,4505 ?/FONT>
Método de crescimento	CZ (LEC)
Densidade	4,13 ^g/cm3
Ponto de fusão	1480 ^oC
Expansão térmica	5,3 ^x10-6 / ^oC
Dopante	dopado com S	não dopado
Eixo de crescimento do cristal	<111> ou <100>	<100> ou <111>
Tipo de condutor	N	N
Concentração de portadores	2 ~ 8 ^x1017 ^/cm3	4 ~ 6 ^x1016 ^/cm3
Resistividade	~ 0,03 W-cm	~ 0,3 W-cm
EPD	< ^3x105	< ^3x105

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Descontinuado (Descontinuado) GA2269 Wafer de fosfeto de gálio (GaP)

Descrição do wafer de fosfeto de gálio

Especificações do wafer de fosfeto de gálio

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