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Descontinuado (Descontinuado) GA2171 Wafer de arseneto de gálio (GaAs)

Número de catálogo. GA2171
Material GaAs
Espessura 350 um ~ 625 um
Diâmetro Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"

A Stanford Advanced Materials (SAM) oferece wafer de GaAs de cristal único produzido por duas técnicas principais de crescimento, os métodos LEC e VGF, o que nos permite oferecer aos clientes a mais ampla variedade de materiais de GaAs com alta uniformidade de propriedades elétricas e excelente qualidade de superfície.

Produtos relacionados: Wafer de nitreto de gálio, Wafer de safira, Wafer de carbeto de silício, Wafer de silício, Wafer de germânio (Ge wafer).

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GA2171 Gallium Arsenide Wafer
GA2171 Gallium Arsenide Wafer
Descrição da
Especificação
SDS
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Material
GaAs
Espessura
350 um ~ 625 um
Diâmetro
Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"
 
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Material
Cobre-gálio (Cu/Ga)
Pureza
99.9% ~ 99.999%
Forma
Pó/grânulo/ personalizado
 
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Material
Óxido de zinco dopado com óxido de gálio
Pureza
99.9% ~ 99.99%
Forma
Pó/grânulo/ personalizado
 
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Material
Seleneto de gálio (Ga2Se3)
Pureza
99.9% ~ 99.999%
Forma
Pó/grânulo/ personalizado

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