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GA2171 Wafer de arseneto de gálio (GaAs)

Número de catálogo. GA2171
Material GaAs
Espessura 350 um ~ 625 um
Diâmetro Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"

A Stanford Advanced Materials (SAM) oferece wafer de GaAs de cristal único produzido por duas técnicas principais de crescimento, os métodos LEC e VGF, o que nos permite oferecer aos clientes a mais ampla variedade de materiais de GaAs com alta uniformidade de propriedades elétricas e excelente qualidade de superfície.

Produtos relacionados: Wafer de nitreto de gálio, Wafer de safira, Wafer de carbeto de silício, Wafer de silício, Wafer de germânio (Ge wafer).

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