Descontinuado (Descontinuado) GA2171 Wafer de arseneto de gálio (GaAs)

Número de catálogo.	GA2171
Material	GaAs
Espessura	350 um ~ 625 um
Diâmetro	Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"

A Stanford Advanced Materials (SAM) oferece wafer de GaAs de cristal único produzido por duas técnicas principais de crescimento, os métodos LEC e VGF, o que nos permite oferecer aos clientes a mais ampla variedade de materiais de GaAs com alta uniformidade de propriedades elétricas e excelente qualidade de superfície.

Produtos relacionados: Wafer de nitreto de gálio, Wafer de safira, Wafer de carbeto de silício, Wafer de silício, Wafer de germânio (Ge wafer).

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(Descontinuado) GA2171 Wafer de arseneto de gálio (GaAs)

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Material

GaAs

Espessura

350 um ~ 625 um

Diâmetro

Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"

VD0621 Pelotas de cobre-gálio (Cu/Ga) – Materiais para evaporação

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Material

Cobre-gálio (Cu/Ga)

Pureza

99.9% ~ 99.999%

Forma

Pó/grânulo/ personalizado

VD0744 Pelotas de óxido de zinco dopado com óxido de gálio (ZnO/Ga₂O₃) — Materiais para evaporação

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Material

Óxido de zinco dopado com óxido de gálio

Pureza

99.9% ~ 99.99%

Forma

Pó/grânulo/ personalizado

VD0846 Pelotas de seleneto de gálio (Ga₂Se₃) – Materiais para evaporação

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Material

Seleneto de gálio (Ga2Se3)

Pureza

99.9% ~ 99.999%

Forma

Pó/grânulo/ personalizado

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VD0860 Pelotas de telureto de gálio (GaTe) – Materiais para evaporação

Gallium Oxide (Ga2O3) Powder (CAS No.12024-21-4)

OX1127 Pó de óxido de gálio (Ga2O3) (nº CAS 12024-21-4)

GA1143 Gálio metálico (Ga Metal)

Gallium (III) Nitrate Hydrate (Ga(NO3)3) Powder (CAS No.69365-72-6)

GA1145 Nitrato de gálio (III) hidratado (Ga(NO₃)₃) em pó (N.º CAS 69365-72-6)

GA1146 Seleneto de gálio (III) (Ga2Se3) em pó (nº CAS 12024-24-7)

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*Código de controlo

Crescimento	LEC / VGF
Diâmetro	Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"
Espessura	350 um ~ 625 um
Orientação	<100> / <111> / <110> ou outros
Condutividade	Tipo P / Tipo N / Semi-isolante
Dopante	Zn / Si / não dopado
Superfície	Um lado polido ou dois lados polidos
Concentração	1E17 ~ 5E19 cm-3
TTV	<= 10 um
Arco / Urdidura	<= 20 um
Grau	Grau polido Epi / grau mecânico

Crescimento	LEC / VGF
Diâmetro	Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"
Espessura	350 um ~ 625 um
Orientação	<100> / <111> / <110> ou outros
Condutividade	Tipo P / Tipo N / Semi-isolante
Dopante	Zn / Si / não dopado
Superfície	Um lado polido ou dois lados polidos
Concentração	1E17 ~ 5E19 cm-3
TTV	<= 10 um
Arco / Urdidura	<= 20 um
Grau	Grau polido Epi / grau mecânico

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Descontinuado (Descontinuado) GA2171 Wafer de arseneto de gálio (GaAs)

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