SC9939 Suporte de wafer de carbeto de silício

Descrição do suporte para wafer de carbeto de silício

O suporte de wafer de carbeto de silício é fabricado com SiC de alta pureza e um fator de forma personalizável para atender às especificações exatas de processamento. O material cerâmico oferece estabilidade térmica de até 1300 ℃, garantindo a adequação durante operações em fornos de alta temperatura. Com uma densidade de aproximadamente 3,0 g/cm³, o suporte mantém a integridade estrutural, reduzindo a contaminação por partículas e apoiando o manuseio controlado de wafer em ambientes de fabricação de semicondutores.

Aplicações do suporte de wafer de carbeto de silício

Fabricação de eletrônicos e semicondutores
- Usado como componente de suporte de wafer durante o recozimento térmico para obter exposição controlada ao calor, aproveitando a resiliência de alta temperatura do SiC.
- Aplicado como acessório em sistemas de processamento para minimizar os riscos de contaminação por meio de sua superfície quimicamente inerte.

Processamento industrial
- Serve como estrutura de suporte em módulos de sinterização de alta temperatura para garantir a estabilidade dimensional, utilizando sua densidade controlada e design personalizado.

Embalagem de suporte de wafer de carbeto de silício

O Silicon Carbide Wafer Boat Holder é embalado em contêineres antiestáticos e resistentes à umidade, com enchimento de espuma para atenuar o choque mecânico. Cada unidade é selada para evitar a contaminação por partículas. A rotulagem clara e o armazenamento compartimentado garantem o manuseio adequado. O design da embalagem acomoda modificações personalizadas para atender a requisitos específicos de transporte e armazenamento em ambientes controlados e com temperatura regulada.

Perguntas frequentes

P1: Que medidas são implementadas para manter a estabilidade dimensional do suporte durante o processamento em alta temperatura?
R1: O processo de personalização utiliza sinterização precisa combinada com perfilamento térmico para reduzir o empenamento. Essas técnicas ajudam a manter a precisão dimensional em temperaturas de até 1.300 ℃, garantindo um desempenho consistente do acessório.

P2: Como a densidade de aproximadamente 3,0 g/cm³ contribui para a funcionalidade do suporte no equipamento de processamento de wafer?
A2: A densidade fornece o suporte estrutural necessário e minimiza as vibrações durante as operações em alta temperatura. Essa robustez ajuda a manter o posicionamento do wafer e reduz o risco de distúrbios mecânicos durante as etapas sensíveis do processamento.

P3: É possível personalizar as dimensões do suporte de wafer de carbeto de silício para se adequar a um equipamento específico?
R3: Sim, o produto está disponível em um formato personalizável. Os clientes podem especificar as dimensões para garantir a compatibilidade com configurações específicas de fornos e processos.

Informações adicionais

O carbeto de silício é um material cerâmico amplamente estudado por sua estabilidade em altas temperaturas e inércia química, o que o torna adequado para ambientes de processamento críticos. Os avanços na sinterização e no processamento de materiais melhoraram sua uniformidade e reduziram as densidades de defeitos, o que é essencial em aplicações que exigem um controle rigoroso do desempenho do material.

As pesquisas em andamento sobre materiais cerâmicos continuam a aperfeiçoar os métodos de fabricação, com ênfase no controle microestrutural e no desempenho térmico. Esse progresso não só aumenta a confiabilidade dos componentes de SiC na fabricação de semicondutores, mas também amplia seu potencial em várias aplicações industriais em que o controle de alta temperatura e contaminação é fundamental.