Substrato de cristal único de nitreto de alumínio (AlN) CY3435

Name: CY3435 Aluminum Nitride (AlN) Single Crystal Substrate
SKU: CY3435
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Número de catálogo.	CY3435
Composição	AlN (nitreto de alumínio)
Sinônimos	Substrato de nitreto de alumínio monocristalino, wafer de AlN monocristalino
Estrutura cristalina	Wurtzita (hexagonal)
Orientação	<0001> ± 1°
Dimensões	Ø 1" – 3" (personalizado)
Espessura	350 – 1.000 μm (personalizado)

SAM fornece substratos monocristalinos de AlN de alta pureza (Ø 1–3", orientação <0001>) para epitaxia de GaN, LEDs UV e dispositivos de potência de RF. Superfície de Al polida por CMP (RMS <0,8 nm), EPD <1×10⁵ cm⁻² e alta condutividade térmica (~285 W/m·K). Tamanhos personalizados disponíveis.

Produtos relacionados: Cristal de triborato de lítio, cristal de niobato de lítio, nitreto de alumínio, chapas de nitreto de alumínio

Pedido de cotação

Adicionar à comparação

Descrição da

Especificação

SDS

Avaliações

Comparar itens semelhantes

Mostrar diferenças

Este item

Substrato de cristal único de nitreto de alumínio (AlN) CY3435

Adicionar à lista

Composição

AlN (nitreto de alumínio)

Sinônimos

Substrato de nitreto de alumínio monocristalino, wafer de AlN monocristalino

Estrutura cristalina

Wurtzita (hexagonal)

Orientação

<0001> ± 1°

Dimensões

Ø 1" – 3" (personalizado)

Espessura

350 – 1.000 μm (personalizado)

NR0916 Substratos de nitreto de alumínio (AlN)

Adicionar à lista

Material

AlN, nitreto de alumínio

Densidade

3,26 g/cm³

Aparência

Branco, Cinza Claro

Forma

Substrato

Ponto de fusão

>2.200 °C

Sinônimos

Substratos de nitreto de alumínio, substratos de AlN

Wafer de safira CY2173

Adicionar à lista

Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

Wafer Epitaxial de Safira CY3306

Adicionar à lista

Material

Safira (Al2O3)

Dimensões

76 mm, 100 mm, 150 mm

Orientação

(1012) ± 1° (plano R)

Formulário

Wafer

FAQ

Por que o AlN é um material preferido para substratos na eletrônica de potência?

O nitreto de alumínio (AlN) é amplamente preferido como substrato para eletrônica de potência devido à sua excepcional condutividade térmica (cerca de 200-300 W/m·K), o que ajuda a dissipar com eficiência o calor gerado por dispositivos de alta potência. Além disso, o AlN é um isolante elétrico, o que o torna adequado para aplicações de alta potência sem riscos de curto-circuito. Sua capacidade de suportar altas temperaturas e ambientes adversos contribui ainda mais para sua popularidade.

Quais são as principais propriedades dos substratos de monocristal de AlN?

As principais propriedades dos substratos de cristal único de AlN incluem:

Alta condutividade térmica: uma das melhores entre os materiais isolantes, essencial para a eletrônica de potência e dispositivos sensíveis ao calor.
Isolamento elétrico: o AlN é um excelente isolante elétrico, impedindo o fluxo indesejado de corrente em aplicações sensíveis.
Propriedades piezoelétricas: o AlN apresenta forte comportamento piezoelétrico, o que o torna ideal para sensores e atuadores.
Ampla banda proibida: o AlN possui uma grande banda proibida de cerca de 6,2 eV, o que permite um bom desempenho em ambientes de alta tensão e alta temperatura.
Resistência mecânica: os substratos de AlN apresentam alta resistência mecânica e dureza, tornando-os duráveis para condições adversas.

Como o AlN se compara a outros substratos, como a safira ou o silício, na área de eletrônica?

O AlN apresenta várias vantagens em relação a materiais como a safira e o silício em determinadas aplicações:

Condutividade térmica: O AlN possui condutividade térmica significativamente maior do que tanto a safira quanto o silício, tornando-o mais adequado para eletrônicos de alta potência, nos quais a dissipação de calor é fundamental.
Isolamento elétrico: Ao contrário da safira, que não é um isolante elétrico eficaz, o AlN é um bom isolante, ideal para aplicações de alta tensão.
Propriedades piezoelétricas: O AlN possui propriedades piezoelétricas superiores em comparação com outros materiais, tornando-o mais adequado para sensores, atuadores e ressonadores.

Como é produzido o substrato monocristalino de AlN?

O substrato de cristal único de AlN é normalmente produzido pelo Método de Kyropoulos (Método de Tração), uma técnica amplamente utilizada para a produção de cristais únicos de alta qualidade. O processo envolve as seguintes etapas:

Matéria-prima: Fontes de alumínio e nitrogênio de alta pureza são utilizadas para formar o AlN.
Crescimento do cristal: O processo de crescimento ocorre por meio da extração lenta de um cristal semente de uma massa fundida de AlN sob condições controladas. Essa extração controlada permite a formação de um monocristal de alta qualidade.
Ambiente controlado: O método de Kyropoulos requer controle preciso de temperatura, pressão e atmosfera (normalmente gás nitrogênio) para garantir a formação de cristais de AlN puros e de alta qualidade.

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

NR0916 Substratos de nitreto de alumínio (AlN)

NR0919 Chapas de nitreto de alumínio (AlN)

Pó de nitreto de alumínio NR1507 (N.º CAS: 24304-00-5)

Nano Aluminium Nitride Powder (AlN) (CAS No. 24304-00-5)

NN1594 Nano pó de nitreto de alumínio (AlN) (número CAS 24304-00-5)

Peças usinadas sob medida em nitreto de alumínio NR2081 (AlN)

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135309-normal-SN3994.jpg

Tubo de nitreto de alumínio (AlN) SN3994

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135458-normal-SN3995.jpg

SN3995 Haste de nitreto de alumínio (AlN)

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135884-normal-SN3996.jpg

SN3996 Disco de nitreto de alumínio (AlN)

SOLICITAR UM ORÇAMENTO

Envie-nos uma consulta hoje mesmo para saber mais e receber os preços mais recentes. Obrigado!

O seu nome*

O seu correio eletrónico*

O seu telefone*

Nome do produto*

País*

Brasil

Comentários

Gostaria de me inscrever na lista de correio eletrónico para receber actualizações da Stanford Advanced Materials.

Tipos de arquivos aceitos: PDF, png, jpg, jpeg. Carregue vários arquivos de uma vez; cada arquivo deve ter menos de 2 MB.

*Código de controlo

Especificação	Valor
Composição (cúbica)	AlN
Área útil	>80%
Exclusão de bordas	1,0 mm
Dimensão	Ø 1"–3", ou sob medida
Espessura	350 μm a 1.000 μm
Coeficiente de absorção	< 80^cm⁻¹
Densidade de cavidades de corrosão (EPD)	< 1E5^cm⁻²
Acabamento da superfície	Face Al: polimento CMP (RMS < 0,8 nm) Face N: polimento óptico (RMS < 3 nm)
Orientação	<0001> ± 1°

Composição (Cúbica)	AlN
Área Útil	＞80%
Exclusão de Bordas	1,0 mm
Dimensão	10x10 mm
Espessura	450 ± 50μm
Coeficiente de Absorção	< 80 cm-1
Densidade de Pit de Etching (EPD)	< 1E5 cm-2
Acabamento de Superfície	Face Al: polimento CMP (RMS < 0,8 nm) Face N: polimento óptico (RMS < 3 nm)
Orientação	<0001>± 1°

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Substrato de cristal único de nitreto de alumínio (AlN) CY3435

Descrição do substrato monocristalino de AlN

Especificações do substrato monocristalino de AlN

Aplicações do substrato de cristal único de AlN

Embalagem de substratos monocristalinos de AlN

Informações de segurança

Especificação

Caso

AVALIAÇÕES DOS CLIENTES

Comparar itens semelhantes

FAQ

Por que o AlN é um material preferido para substratos na eletrônica de potência?

Quais são as principais propriedades dos substratos de monocristal de AlN?

Como o AlN se compara a outros substratos, como a safira ou o silício, na área de eletrônica?

Como é produzido o substrato monocristalino de AlN?

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

SOLICITAR UM ORÇAMENTO

Descarregar

PRECISA DE AJUDA?

CATEGORIAS POPULARES

NOSSA EMPRESA