Substrato de cristal único de nitreto de alumínio (AlN) CY3435

Name: CY3435 Aluminum Nitride (AlN) Single Crystal Substrate
SKU: CY3435
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Número de catálogo.	CY3435
Composição	AlN (nitreto de alumínio)
Orientação	<0001> ± 1°
Dimensões	Ø 1" – 3" (personalizado)
Espessura	350 – 1.000 μm (personalizado)
Superfície	Polimento CMP, RMS < 0,8 nm

SAM fornece substratos monocristalinos de AlN de alta pureza (Ø 1–3", orientação <0001>) para epitaxia de GaN, LEDs UV e dispositivos de potência de RF. Superfície de Al polida por CMP (RMS <0,8 nm), EPD <1×10⁵ cm⁻² e alta condutividade térmica (~285 W/m·K). Tamanhos personalizados disponíveis.

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Substrato de cristal único de nitreto de alumínio (AlN) CY3435

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Composição

AlN (nitreto de alumínio)

Orientação

<0001> ± 1°

Dimensões

Ø 1" – 3" (personalizado)

Espessura

350 – 1.000 μm (personalizado)

Superfície

Polimento CMP, RMS < 0,8 nm

NR0916 Substratos de nitreto de alumínio (AlN)

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Material

AlN, nitreto de alumínio

Densidade

3,26 g/cm³

Aparência

Branco, Cinza Claro

Forma

Substrato

Ponto de fusão

>2.200 °C

Sinônimos

Substratos de nitreto de alumínio, substratos de AlN

Wafer de safira CY2173

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Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

Wafer Epitaxial de Safira CY3306

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Material

Safira (Al2O3)

Dimensões

76 mm, 100 mm, 150 mm

Orientação

(1012) ± 1° (plano R)

Formulário

Wafer

FAQ

Por que o AlN é um material preferido para substratos na eletrônica de potência?

O nitreto de alumínio (AlN) é amplamente preferido como substrato para eletrônica de potência devido à sua excepcional condutividade térmica (cerca de 200-300 W/m·K), o que ajuda a dissipar com eficiência o calor gerado por dispositivos de alta potência. Além disso, o AlN é um isolante elétrico, o que o torna adequado para aplicações de alta potência sem riscos de curto-circuito. Sua capacidade de suportar altas temperaturas e ambientes adversos contribui ainda mais para sua popularidade.

Quais são as principais propriedades dos substratos de monocristal de AlN?

As principais propriedades dos substratos de cristal único de AlN incluem:

Alta condutividade térmica: uma das melhores entre os materiais isolantes, essencial para a eletrônica de potência e dispositivos sensíveis ao calor.
Isolamento elétrico: o AlN é um excelente isolante elétrico, impedindo o fluxo indesejado de corrente em aplicações sensíveis.
Propriedades piezoelétricas: o AlN apresenta forte comportamento piezoelétrico, o que o torna ideal para sensores e atuadores.
Ampla banda proibida: o AlN possui uma ampla banda proibida de cerca de 6,2 eV, o que permite um bom desempenho em ambientes de alta tensão e alta temperatura.
Resistência mecânica: Os substratos de AlN apresentam alta resistência mecânica e dureza, tornando-os duráveis para condições adversas.

Como o AlN se compara a outros substratos, como a safira ou o silício, na área de eletrônica?

O AlN apresenta várias vantagens em relação a materiais como a safira e o silício em determinadas aplicações:

Condutividade térmica: O AlN possui condutividade térmica significativamente maior do que a safira e o silício, tornando-o mais adequado para eletrônicos de alta potência, nos quais a dissipação de calor é fundamental.
Isolamento elétrico: Ao contrário da safira, que não é um isolante elétrico eficaz, o AlN é um bom isolante, ideal para aplicações de alta tensão.
Propriedades piezoelétricas: O AlN possui propriedades piezoelétricas superiores em comparação com outros materiais, tornando-o mais adequado para sensores, atuadores e ressonadores.

Como é produzido o substrato monocristalino de AlN?

O substrato de cristal único de AlN é normalmente produzido pelo Método de Kyropoulos (Método de Puxamento), uma técnica amplamente utilizada para a produção de cristais únicos de alta qualidade. O processo envolve as seguintes etapas:

Matéria-prima: Fontes de alumínio e nitrogênio de alta pureza são utilizadas para formar o AlN.
Crescimento do cristal: O processo de crescimento ocorre por meio da extração lenta de um cristal semente a partir de uma massa fundida de AlN, sob condições controladas. Essa extração controlada permite a formação de um monocristal de alta qualidade.
Ambiente controlado: O método de Kyropoulos requer controle preciso de temperatura, pressão e atmosfera (normalmente gás nitrogênio) para garantir a formação de cristais de AlN puros e de alta qualidade.

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

NR0916 Substratos de nitreto de alumínio (AlN)

NR0919 Chapas de nitreto de alumínio (AlN)

Pó de nitreto de alumínio NR1507 (N.º CAS: 24304-00-5)

Nano Aluminium Nitride Powder (AlN) (CAS No. 24304-00-5)

NN1594 Nano pó de nitreto de alumínio (AlN) (número CAS 24304-00-5)

Peças usinadas sob medida em nitreto de alumínio NR2081 (AlN)

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135309-normal-SN3994.jpg

Tubo de nitreto de alumínio (AlN) SN3994

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135458-normal-SN3995.jpg

SN3995 Haste de nitreto de alumínio (AlN)

https://www.samaterials.com/images/sc/1769135884-normal-SN3996.jpg

SN3996 Disco de nitreto de alumínio (AlN)

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Especificação	Valor
Área útil	>80%
Exclusão de bordas	1,0 mm
Dimensão	Ø 1"–3", ou sob medida
Espessura	350 μm–1.000 μm
Coeficiente de absorção	< 80^cm⁻¹
Densidade de cavidades de corrosão (EPD)	< 1E5^cm⁻²
Acabamento da superfície	Face Al: polimento CMP (RMS < 0,8 nm) Face N: polimento óptico (RMS < 3 nm)
Orientação	<0001> ± 1°

Área útil	>80%
Exclusão de bordas	1,0 mm
Dimensão	Ø 1"–6" ou sob medida
Espessura	350 μm a 1.000 μm
Coeficiente de absorção	< 80^cm⁻¹
Densidade de cavidades de corrosão (EPD)	< 1E5^cm⁻²
Acabamento da superfície	Face Al: polimento CMP (RMS < 0,8 nm) Face N: polimento óptico (RMS < 3 nm)
Orientação	<0001>± 1°

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Substrato de cristal único de nitreto de alumínio (AlN) CY3435

Descrição do substrato monocristalino de AlN

Especificações do substrato monocristalino de AlN

Aplicações do substrato de AlN

Embalagem e manuseio de substratos de AlN

Notas de segurança e manuseio de substratos de AlN

Especificação

Caso

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