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ST0246 Alvo de Sputtering de Fluoreto de Magnésio (MgF₂)

Número de catálogo. ST0246
Composição MgF₂
Número CAS 7783-40-6
Pureza ≥99% (99,9% / 99,99% disponível)
Forma Discos ou personalizados
Sinônimos Alvo de pulverização de fluoreto de magnésio, alvo de MgF2, alvo de revestimento óptico

A Stanford Advanced Materials é dedicada ao avanço da ciência dos materiais por meio de soluções de engenharia precisas. Nossos produtos são desenvolvidos para atender a padrões rigorosos da indústria, garantindo desempenho e confiabilidade excepcionais em cada aplicação.

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FAQ

P: Qual é a pureza do alvo de MgF2 que preciso para revestimentos ópticos?

A: 99,9% de pureza é suficiente para a maioria dos revestimentos ópticos antirreflexo e de proteção. Recomenda-se 99,99% para óptica a laser e aplicações de semicondutores de alta precisão, em que traços de impurezas podem afetar a transmissão ou causar defeitos.

 

P: Por que o sputtering por RF é necessário para o MgF2?

A: O MgF2 é um isolante elétrico. A pulverização catódica de corrente contínua causará acúmulo de carga na superfície do alvo, o que levará à formação de arcos e à instabilidade do processo. A pulverização por RF é necessária.

 

P: Os alvos de MgF2 precisam de ligação?

A: Sim, a colagem é recomendada. O MgF2 é frágil e tem baixa condutividade térmica. Sem a ligação adequada a uma placa de apoio resfriada, o estresse térmico pode rachar o alvo durante a pulverização. A ligação de índio é padrão; a ligação de elastômero está disponível para sistemas que não podem usar índio.

 

P: Qual é a taxa de pulverização típica do MgF2?

A: As taxas de pulverização dependem da potência de RF, da pressão e da configuração do sistema. As taxas típicas variam de 5-15 Å/seg a 3-5 W/cm². Entre em contato conosco com os detalhes do seu sistema para obter recomendações específicas.

 

P: Qual é o prazo de entrega de um alvo de MgF2 personalizado?

A: Os discos padrão (2"-6") geralmente são enviados em uma ou duas semanas. Os formatos personalizados levam de 2 a 3 semanas, dependendo da complexidade.

 

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