ST0215 Alvo de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄)

Name: ST0215 Silicon Nitride (Si3N4) Sputtering Target
SKU: ST0215
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Número de catálogo.	ST0215
Composição	Si₃N₄
Número CAS	12033-89-5
Pureza	≥99%
Forma	Discos ou feitos sob medida
Sinônimos	Alvo de pulverização de nitreto de silício, alvo de Si₃N₄, alvo cerâmico de pulverização

Na Stanford Advanced Materials (SAM), fabricamos nossos alvos de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄) por meio de sinterização por prensagem a quente e usinagem de precisão. Esse processo nos permite atingir uma densidade superior a 99% e um tamanho de grão fino (2 a 5 μm) — dois fatores essenciais para uma pulverização por RF limpa e consistente. O nitreto de silício é a escolha ideal para camadas duras e isolantes em semicondutores, MEMS e revestimentos ópticos. Temos em estoque discos padrão de 2" a 6" e, sim, também fabricamos tamanhos personalizados.

Produtos relacionados: Alvo de pulverização de óxido de alumínio (Al₂O₃), alvo de pulverização de óxido de titânio (TiO₂), alvo de pulverização de dióxido de silício (SiO₂)

Pedido de cotação

Adicionar à comparação

Silicon Nitride (Si₃N₄) Sputtering Target

Descrição da

Especificação

SDS

Avaliações

Comparar itens semelhantes

Mostrar diferenças

Este item

ST0215 Alvo de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄)

Adicionar à lista

Composição

Si₃N₄

Número CAS

12033-89-5

Pureza

≥99%

Forma

Discos ou feitos sob medida

Sinônimos

Alvo de pulverização de nitreto de silício, alvo de Si₃N₄, alvo cerâmico de pulverização

Alvo de Sputtering em Nitreto de Alumínio (AlN) ST0208

Adicionar à lista

Composição

AlN

Número CAS

24304-00-5

Pureza

≥99%

Forma

Discos ou personalizados

ST0217 Alvo de Sputtering em Nitreto de Titânio (TiN)

Adicionar à lista

Composição

TiN

Número CAS

25583-20-4

Pureza

≥99%

Forma

Discos ou personalizados

Sinônimos

Alvo de pulverização de nitreto de titânio, alvo de TiN

FAQ

P: Qual método de pulverização catódica é recomendado para alvos de nitreto de silício?

R: O nitreto de silício (Si₃N₄) é um material cerâmico com alta resistividade elétrica; por isso, requer pulverização por RF ou RF-Reativa (RF-R). A pulverização por corrente contínua (CC) não é adequada para esse material devido ao acúmulo de carga na superfície do alvo.

P: Qual é a diferença entre os alvos de pulverização Si₃N₄ e SiN?

R: Ambas as notações se referem ao nitreto de silício, mas a estequiometria exata pode variar. Si3N4 indica o composto estequiométrico (proporção silício-nitrogênio de 3:4). Algumas aplicações podem utilizar composições com ligeira deficiência de nitrogênio (SiNx). Especifique suas necessidades ao fazer o pedido.

P: Os alvos de nitreto de silício precisam ser colados a uma placa de suporte?

R: Devido à natureza frágil dos materiais cerâmicos e à potência de RF utilizada, geralmente recomendamos a fixação dos alvos de Si3N4 a uma placa de suporte de cobre por meio de índio ou elastômero. Isso melhora o gerenciamento térmico e evita rachaduras no alvo durante a pulverização catódica.

P: Qual é o prazo de entrega de um alvo de pulverização de nitreto de silício personalizado?

R: O prazo de entrega normal para tamanhos personalizados é de 3 a 4 semanas após a confirmação do pedido. Os discos de tamanhos padrão (2" a 6") podem ser enviados mais cedo. Entre em contato conosco para saber a situação atual do estoque.

P: Vocês poderiam informar a taxa de pulverização típica do seu alvo de Si₃N₄?

R: As taxas de pulverização dependem da potência de RF, da pressão e da configuração específica do seu sistema. Nossa equipe técnica pode fornecer taxas de referência e recomendações de processo com base no seu equipamento. Por favor, inclua os detalhes do seu sistema na sua consulta.

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

Lanthanum Boride (LaB6) Sputtering Target

ST0295 Alvo de Sputtering de Borureto de Lantânio (LaB6)

Tantalum Selenide (TaSe2) Sputtering Target

ST0313 Alvo de Sputtering de Seleneto de Tântalo (TaSe2)

Tantalum Telluride (TaTe₂) Sputtering Target

Alvo de Sputtering de Telureto de Tântalo (TaTe2) ST0329

Alvo de Sputtering de Carbono ST0413 (C)

Barium Cerium Yttrium Zirconate Sputtering Target

ST0425 Alvo de pulverização de zirconato de bário, cério e ítrio (BaCe(1-x-y)Y(x)Zr(y)O3)

ST6842 Alvo rotativo de silício-alumínio (Si-Al)

Lanthanum Lithium Titanate Sputtering Target

ST0446 Alvo de pulverização de titanato de lítio e lantânio (La(1-x)LixTiO3)

Praseodymium Nickel Oxide (PrNiO) Sputtering Target

ST0465 Óxido de Níquel de Praseodímio (PrNiO) Alvo de Sputtering

SOLICITAR UM ORÇAMENTO

Envie-nos uma consulta hoje mesmo para saber mais e receber os preços mais recentes. Obrigado!

O seu nome*

O seu correio eletrónico*

O seu telefone*

Nome do produto*

País*

Brasil

Pureza

Diâmetro

Espessura

Vinculação

Comentários

Gostaria de me inscrever na lista de correio eletrónico para receber actualizações da Stanford Advanced Materials.

Tipos de arquivos aceitos: PDF, png, jpg, jpeg. Carregue vários arquivos de uma vez; cada arquivo deve ter menos de 2 MB.

*Código de controlo

Parâmetro	Especificação
Material	Nitreto de silício (Si₃N₄)
Pureza	≥99% (99,5% / 99,9% disponíveis mediante solicitação)
Número CAS	12033-89-5
Cor/Aparência	Branco acinzentado
Densidade teórica	3,44 g/cm³
Densidade relativa	>99% da densidade teórica
Tamanho do grão	2–5 μm (controlado)
Método de pulverização catódica	RF, RF-Reativo (RF-R)
Processo de fabricação	Sinterização por prensagem a quente + usinagem de precisão
Acabamento superficial	Polido (< 0,5 μm Ra)
Tipo de colagem	Índio, elastômero (personalizável)
Formato padrão	Disco
Diâmetros padrão	2", 3", 4", 6"
Faixa de espessura	3 mm, 6 mm (disponível sob encomenda)
Embalagem	Sala limpa Classe 100, selada a vácuo

Parâmetro	Especificação
Material	Nitreto de silício (Si₃N₄)
Pureza	≥99% (99,5% / 99,9% disponíveis mediante solicitação)
Número CAS	12033-89-5
Cor/Aparência	Branco acinzentado
Densidade teórica	3,44 g/cm³
Densidade relativa	>99% da densidade teórica
Tamanho do grão	2–5 μm (controlado)
Método de pulverização catódica	RF, RF-Reativo (RF-R)
Processo de fabricação	Sinterização por prensagem a quente + Usinagem de precisão
Acabamento superficial	Polido (< 0,5 μm Ra)
Tipo de colagem	Índio, elastômero (personalizável)
Formato padrão	Disco
Diâmetros padrão	2", 3", 4", 6"
Faixa de espessura	3 mm, 6 mm (disponível sob medida)
Embalagem	Sala limpa Classe 100, selada a vácuo

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

ST0215 Alvo de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄)

Descrição do alvo de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄)

Especificação do alvo de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄)

Aplicações dos alvos de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄)

Embalagem de alvos de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄)

Especificação

Caso

AVALIAÇÕES DOS CLIENTES

Comparar itens semelhantes

FAQ

P: Qual método de pulverização catódica é recomendado para alvos de nitreto de silício?

P: Qual é a diferença entre os alvos de pulverização Si₃N₄ e SiN?

P: Os alvos de nitreto de silício precisam ser colados a uma placa de suporte?

P: Qual é o prazo de entrega de um alvo de pulverização de nitreto de silício personalizado?

P: Vocês poderiam informar a taxa de pulverização típica do seu alvo de Si₃N₄?

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

SOLICITAR UM ORÇAMENTO

Descarregar

PRECISA DE AJUDA?

CATEGORIAS POPULARES

NOSSA EMPRESA