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ALVO DE SPUTTERING Dióxido de Silício (SiO2) ST0185

Número de catálogo. ST0185
Composição SiO₂
Número CAS 7631-86-9
Pureza ≥99% (99,9% – 99,999% disponíveis mediante solicitação)
Densidade 2,65 g/cm³
Ponto de fusão 1.710 ℃
Aparência Branco ou translúcido
Forma Discos ou feitos sob medida
Diâmetro 2", 3", 4", 5", 6" ou sob medida
Espessura 0,125", 0,25" ou sob medida
Tipo de título Cobre, índio, elastômero

O alvo de pulverização de dióxido de silício (SiO₂) da Stanford Advanced Materials oferece alta pureza (≥99%) e excelente estabilidade térmica para processos de pulverização por RF. Ideal para fabricação de semicondutores, revestimentos ópticos e deposição de filmes finos.

Produtos relacionados: Alvo de pulverização de silício (Si), alvo de pulverização de nitreto de silício (Si₃N₄), alvo de pulverização de óxido de titânio (TiO₂)

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Silicon Dioxide (SiO2) Sputtering Target
Silicon Dioxide (SiO2) Sputtering Target
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Especificação
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Composição
SiO₂
Número CAS
7631-86-9
Pureza
≥99% (99,9% – 99,999% disponíveis mediante solicitação)
Densidade
2,65 g/cm³
Ponto de fusão
1.710 ℃
Aparência
Branco ou translúcido
Forma
Discos ou feitos sob medida
Diâmetro
2", 3", 4", 5", 6" ou sob medida
Espessura
0,125", 0,25" ou sob medida
Tipo de título
Cobre, índio, elastômero
 
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Composição
TiO₂
Número CAS
13463-67-7
Pureza
99,5% / 99,9% / 99,99% (personalizável)
Forma
Discos ou personalizados
Diâmetro
2", 3", 4", 5", 6" ou personalizado
Espessura
0,25", 0,125" ou personalizado
Tipo de título
Cobre ou personalizado
Sinônimos
Alvo de pulverização de dióxido de titânio, alvo de TiO2
 
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Composição
Al₂O₃
Pureza
≥99,99%
Formulário
Meta
Forma
Retangular
Dimensões
Personalizado

FAQ

P: Por que o SiO₂ deve ser pulverizado por sputtering com RF em vez de corrente contínua?

R: O dióxido de silício é um material isolante. A pulverização por corrente contínua (DC) causaria o acúmulo de carga na superfície do alvo, levando à formação de arcos elétricos e a uma deposição instável. A pulverização por radiofrequência (RF) evita o acúmulo de carga, garantindo filmes finos estáveis e uniformes.

P: Quais opções de pureza estão disponíveis para o alvo de pulverização de SiO₂?

R: A pureza padrão é ≥99%. Purezas mais elevadas (99,9%, 99,99%, 99,995% até 99,999%) estão disponíveis mediante solicitação. Por favor, entre em contato com nossa equipe para informar suas necessidades específicas.

P: O alvo de pulverização de dióxido de silício pode ser personalizado para se adequar à minha câmara?

R: Sim. Oferecemos tamanhos e formatos personalizados (discos, placas, alvos giratórios) e diferentes tipos de fixação. Por favor, forneça o modelo do seu equipamento ou o desenho do alvo para que possamos apresentar um orçamento preciso.

P: Qual é a diferença entre o alvo de SiO₂ e o alvo de Si para a deposição de óxido?

R: Os alvos de SiO₂ depositam dióxido de silício diretamente. Os alvos de Si depositam silício puro, que precisa então ser oxidado em uma atmosfera reativa de oxigênio. Para a maioria das aplicações de revestimento de óxido, os alvos de SiO₂ oferecem melhor controle do processo e reprodutibilidade.

P: Quais setores se beneficiam mais com o uso de alvos de pulverização de dióxido de silício?

R: Fabricação de semicondutores, produção de componentes ópticos, indústria de telas (OLED), fabricação de células fotovoltaicas/solares e pesquisa em materiais avançados.

P: O alvo de SiO₂ está disponível na versão rotativa (giratória)?

R: Sim. Estão disponíveis alvos rotativos de SiO₂ para sistemas de revestimento de alto rendimento. Entre em contato informando o modelo e as dimensões do seu equipamento.

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País*

Brasil

    Pureza

    99.9%

    • 99.9%
    • 99.5%
    • 99.99%
    • 99.999%
    • Other
    Diâmetro

    2''

    • 2''
    • 3''
    • 4''
    • 5''
    • 6''
    • Outros
    • Other
    Espessura

    0,25''

    • 0,25''
    • 0,125''
    • Todos
    • Other
    Vinculação

    Sim

    • Sim
    • Não
    • Other

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