AL1885 AlSiC Placa de base de IGBT de carbeto de silício e alumínio

Name: AL1885 AlSiC Aluminum Silicon Carbide IGBT Base Plate
SKU: AL1885
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Número de catálogo.	AL1885
Dimensões	Personalizado
Material	Liga de alumínio-ZL101A
Composição	Carbeto de silício Grau eletrônico, fração volumétrica de 65%
Sinônimos	Placa de base de AlSiC, substrato de IGBT de carbeto de silício e alumínio

A Stanford Advanced Materials (SAM) é um fornecedor global de placas de base IGBT de carbeto de silício e alumínio. Oferecemos produtos de alta qualidade com boa condutividade térmica e baixa expansão térmica.

Outros produtos relacionados: Peças estruturais de AlSiC, Liga principal de alumínio e silício.

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AL1885 AlSiC Placa de base de IGBT de carbeto de silício e alumínio

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Dimensões

Personalizado

Material

Liga de alumínio-ZL101A

Composição

Carbeto de silício Grau eletrônico, fração volumétrica de 65%

Sinônimos

Placa de base de AlSiC, substrato de IGBT de carbeto de silício e alumínio

NR0919 Chapas de nitreto de alumínio (AlN)

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Material

AlN, nitreto de alumínio

Aparência

Branco, cinza claro

Pureza

99%, 99.7%

Forma

Folha

Densidade

3,26 g/cm3

Sinônimos

Folhas de nitreto de alumínio, Folhas de AlN

Peças estruturais de carbeto de silício de alumínio AL1882

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Material

Liga de alumínio - ZL101A

Forma

Personalizado

CM7941 Placa de cobre-berílio C17200, TD02 (A)

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Padrão

ASTM B194

Formulário

Placa

Grau

C17200

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*Código de controlo

Liga de alumínio	ZL101A
Carbeto de silício	Grau eletrônico, fração volumétrica de 65%
Condutividade térmica[(W/mK) @25°C]	≥240
Calor específico (J/gK) @ 25°C	0.803
Expansão térmica (CTE) ppm/°C	(30°C-100°) 7.42
	(30°C-150°) 7.93
	(30°C-200°) 8.35
Módulo de Young (GPa)	158
Módulo de cisalhamento (GPa)	75
Resistência à flexão (MPa)	300
Porcentagem de alongamento na ruptura（%）	0.28
Resistência à fratura	11.3
Resistência elétrica (µOhm-cm)	20
Hermeticidade (^atm-cm3/sHe)	< 10 ^-9

Liga de alumínio	ZL101A
Carbeto de silício	Grau eletrônico, fração volumétrica de 65%
Condutividade térmica[(W/mK) @25°C]	≥240
Calor específico (J/gK) @ 25°C	0.803
Expansão térmica (CTE) ppm/°C	(30°C-100°) 7.42
	(30°C-150°) 7.93
	(30°C-200°) 8.35
Módulo de Young (GPa)	158
Módulo de cisalhamento (GPa)	75
Resistência à flexão (MPa)	300
Porcentagem de alongamento na ruptura（%）	0.28
Resistência à fratura	11.3
Resistência elétrica (µOhm-cm)	20
Hermeticidade (^atm-cm3/sHe)	< 10 ^-9

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

AL1885 AlSiC Placa de base de IGBT de carbeto de silício e alumínio

Descrição da placa base de IGBT de carbeto de silício e alumínio

Especificação da placa base de IGBT de carbeto de silício e alumínio

Aplicações da placa base de IGBT de carbeto de silício e alumínio

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