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Wafer de Silício Cu Revestido de Ta/SiO2 CY3451

Número de catálogo. CY3451
Composição Cu, Ta, SiO2
Pureza >99.99%
Dimensões 2, 4, 6, 8, 12" de diâmetro 0,525 mm de espessura
Orientação Cu <111>

Wafer de Silício Coated Cu Ta/SiO2 pode ser utilizado no campo nano, microscopia eletrônica de varredura (SEM), microscopia de força atômica (AFM) e outras varreduras de microscópio de sonda. Stanford Advanced Materials (SAM) possui experiência na fabricação e fornecimento de produtos ópticos de alta qualidade.

Produtos relacionados: Substrato SiO2/Si Revestido de Ti, Substrato SiO2/Si Revestido de Ni, Wafer de Silício Revestido de Ouro, Wafer de Silício Revestido de Pt, Wafer de Silício Revestido de Ag

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