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    Título Montagem química em larga escala de transistores e circuitos atomicamente finos
    Autores Mervin Zhao, Yu Ye, Yimo Han, Yang Xia, Hanyu Zhu, Siqi Wang, Yuan Wang, David A. Muller, Xiang Zhang
    Revista Nanotecnologia da natureza
    data 07/11/2016
    Doi 10.1038/nnano.2016.115
    Introdução O desenvolvimento de eletrônicos avançados exige novos materiais que superem os recursos do silício, oferecendo funcionalidade, desempenho e miniaturização aprimorados para circuitos integrados. Os materiais bidimensionais, especificamente o grafeno sem lacunas e os dicalcogenetos de metais de transição semicondutores, apresentam alternativas atraentes devido à sua estrutura atômica ultrafina e à estabilidade química robusta. No entanto, os desafios para obter um controle espacial preciso durante a fabricação desses materiais atualmente impedem sua integração prática em dispositivos funcionais. Este estudo detalha a síntese bem-sucedida, em larga escala e espacialmente controlada, de heteroestruturas compostas por dissulfeto de molibdênio semicondutor de camada única em contato direto com grafeno condutor. As investigações usando microscopia eletrônica de transmissão indicam que o dissulfeto de molibdênio de camada única se forma preferencialmente nas bordas do grafeno. Mostramos que esses transistores atômicos fabricados quimicamente oferecem métricas de desempenho impressionantes, incluindo uma alta transcondutância de 10 µS, uma relação liga-desliga de aproximadamente 10^6 e uma mobilidade de cerca de 17 cm² V-¹ s-¹. A seletividade de local inerente desses cristais condutores e semicondutores atomicamente finos facilita sua utilização na construção de circuitos lógicos bidimensionais, exemplificados por um inversor NMOS que demonstra um alto ganho de tensão de até 70.
    Citação Mervin Zhao, Yu Ye e Yimo Han et al. Large-scale chemical assembly of atomically thin transistors and circuits (Montagem química em larga escala de transistores e circuitos atomicamente finos). Nat Nanotechnol. 2016. Vol. 11(11):954-959. DOI: 10.1038/nnano.2016.115
    Elemento Carbono (C) , Molibdênio (Mo) , Silício (Si) , Enxofre (S)
    Indústria Eletrônicos
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