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  • CY4007 Ta2NiS5 Crystal

    • CY4007 Ta2NiS5 Crystal

    Número de catálogo. CY4007
    Material Ta2NiS5
    Pureza >99.999%

    O cristal Ta2NiS5 é um semicondutor de lacuna estreita (Eg~0,39 eV) com comportamento suspeito de isolante excitônico, como observado em seu composto irmão Ta2NiS5. Stanford Advanced Materials (SAM) possui experiência na fabricação e fornecimento de produtos semicondutores de alta qualidade.

    Produtos relacionados: Cristal SiTe2, Cristal ZrGeTe4, Cristal In2Se3

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    Ta2NiS5 Crystal
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    CY4007 Ta2NiS5 Crystal
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    Material
    Ta2NiS5
    Pureza
    >99.999%
     
    GR0396 Graphene C Nanopowder Diâmetro 100nm
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    Pureza
    >99%
    APS
    100nm
    M.O.Q
    500 g
     
    GR0398 Nanopó de grafeno C
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    Preto
    Dimensões
    1-5 nm
    Pureza
    >99%
    M.O.Q
    500 g
     
    SC0957 Bandejas de carbeto de silício (bandejas de SiC)
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    Dimensões
    <40cm (15")
    Material
    Grafite, com revestimento de SiC CVD
    Pureza
    >99,99% para revestimento de SiC

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    SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)
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    BC0970 Beryllium Oxide Ceramic Substrates, BeO
    BC0970 Substratos cerâmicos de óxido de berílio, BeO
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    CD1110 Cadmium Metal (Cd Metal) (CAS No.7440-43-9)
    CD1110 Cádmio metálico (Cd metálico) (CAS No.7440-43-9)
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    Cadmium Sulfide Powder
    CD1111 Sulfeto de cádmio em pó (CdS em pó) (CAS No.1306-23-6)
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    sc/1752221034-SE1112.jpg
    SE1112 Selênio metálico (Se Metal) (CAS No.7782-49-2)
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    sc/1755078846-OX1113.jpg
    OX1113 Pó de trióxido de bismuto (Bi2O3 em pó) (CAS No.1304-76-3)
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    sc/1747275847-BS1114.jpg
    BS1114 Sulfeto de Bismuto (III) em Pó (Bi2S3 em Pó) (CAS No.1345-07-9)
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