CY2404 Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3

Número de catálogo.	CY2404
Pureza	≥99.95%
Espessura	0,5 mm, 1,0 mm, 2,0 mm, 5,0 mm
Fórmula química	Al2O3

O substrato de cristal de safira deóxido de alumínio da mais alta qualidade é fornecido pela Stanford Advanced Materials. O substrato de Al2O3 permite a produção mais eficiente em seu local. Oferecemos soluções rápidas e personalizadas para nossos clientes.

Produtos relacionados: Substratos de cristal LSAT; Wafer de silício; Substratos de cristal de tantalato de potássio; Substrato de cristal único de alumínio

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CY2404 Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3

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Pureza

≥99.95%

Espessura

0,5 mm, 1,0 mm, 2,0 mm, 5,0 mm

Fórmula química

Al2O3

CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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Pureza

99,99%

Fórmula química

GaSb

Diâmetro

2", 3", 4"

Espessura

500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm

Orientação

(100) / (111) ±0,5°

NR2172 Wafer de nitreto de gálio

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Material

GaN

Espessura

300-450um

Diâmetro

Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"

Wafer de safira CY2173

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Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

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*Código de controlo

Classe de cristal	Sistema hexagonal
Constantes de rede	a=4,785, c=12,991
Densidade	3,98 ^g/cm3
Ponto de fusão	2040 °C
Dureza	9 Mohs
Coeficiente elástico	C11= 495; C12=160; C33= 497; C44= 146; C13= 115; C14= 23 GPa
Condutividade térmica	46,06 @ 0℃, 25,12 @ 100℃, 12,56 @ 400℃ ( W/(m-K) )
Expansão térmica	7.5 x ^10-6 /℃
Orientação padrão	<0001>、<11-20>、<1-102>、<10-10> ±0.2º
Tamanho padrão	5 x 5 mm, 10x10 mm, Dia. 1" (25,4 mm), Dia. 2" (50,8 mm) Ou personalizado.
Espessura padrão	0,5 mm, 1,0 mm, 2,0 mm, 5,0 mm
Constante dielétrica	~9,4@ 300K no eixo A ~11,58@ 300K no eixo C
Polimento	Polido em um lado ou polido em dois lados

Classe de cristal	Sistema hexagonal
Constantes de rede	a=4,785, c=12,991
Densidade	3,98 ^g/cm3
Ponto de fusão	2040 °C
Dureza	9 Mohs
Coeficiente elástico	C11= 495; C12=160; C33= 497; C44= 146; C13= 115; C14= 23 GPa
Condutividade térmica	46,06 @ 0℃, 25,12 @ 100℃, 12,56 @ 400℃ ( W/(m-K) )
Expansão térmica	7.5 x ^10-6 /℃
Orientação padrão	<0001>、<11-20>、<1-102>、<10-10> ±0.2º
Tamanho padrão	5 x 5 mm, 10x10 mm, Dia. 1" (25,4 mm), Dia. 2" (50,8 mm) Ou personalizado.
Espessura padrão	0,5 mm, 1,0 mm, 2,0 mm, 5,0 mm
Constante dielétrica	~9,4@ 300K no eixo A ~11,58@ 300K no eixo C
Polimento	Polido em um lado ou polido em dois lados

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

CY2404 Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3

Descrição do substrato de cristal de safira de óxido de alumínio

Especificações do substrato de cristal de safira de óxido de alumínio

Aplicações do substrato de cristal de safira de óxido de alumínio

Pacote de substrato de cristal de safira de óxido de alumínio

Perguntas frequentes

Q1 Quais são os tipos de substratos de safira?

Q2 Por que a safira é preferida para aplicações de LED?

Q3. Os substratos de safira podem ser usados em aplicações de alta temperatura?

Especificação

Caso

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