AL10259 Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,1 mm

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,1 mm Descrição

Este produto é um wafer feito de Al2O3, com uma orientação precisa de plano C (0001) e dimensões de 10x10 mm com uma espessura de 0,1 mm. O alinhamento cristalográfico controlado garante densidade mínima de defeitos de superfície e planicidade uniforme, o que é essencial para o processamento de semicondutores e aplicações analíticas. Sua composição e regularidade estrutural oferecem uma plataforma estável para vários processos de deposição de película fina e fabricação de microeletrônicos.

Wafer de safira Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,1 mm Aplicações

1.
Processamento de eletrônicos e semicondutores
- Usada como substrato no crescimento de filmes epitaxiais para dispositivos semicondutores para obter deposição uniforme de camadas, aproveitando sua superfície lisa de plano C.
- Aplicado como uma plataforma isolante em circuitos microeletrônicos para minimizar a interferência dielétrica, utilizando sua alta pureza química e cristalinidade consistente.

2.
Sistemas ópticos e de sensores industriais
- Serve como base de teste para sensores ópticos para validar as propriedades de transmissão de luz, aproveitando a excelente planicidade da superfície.
- Frequentemente usado como padrão de calibração em instrumentos ópticos de precisão para obter medições precisas, beneficiando-se de sua espessura e composição controladas.

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,1 mm Embalagem

O wafer é embalado individualmente em um invólucro antiestático e preso em uma caixa revestida de espuma para reduzir os danos mecânicos durante o transporte. Cada unidade é selada em um saco resistente à umidade para evitar contaminação e oxidação. A embalagem foi projetada para manter um ambiente controlado, preservando as tolerâncias dimensionais e a qualidade da superfície do wafer até que esteja pronto para aplicação. Opções personalizadas de rotulagem e embalagem compartimentada estão disponíveis mediante solicitação.

Perguntas frequentes

P1: Como a orientação cristalográfica (0001) é verificada?
R1: A orientação é confirmada usando difração de raios X de alta resolução e difração de retroespalhamento de elétrons. Essas técnicas medem com precisão o alinhamento e garantem que o wafer atenda às especificações necessárias de planicidade e densidade de defeitos.

P2: Quais procedimentos de limpeza e manuseio são recomendados antes do processamento?
A2: É recomendável enxaguar o wafer em solventes de alta pureza, seguido de água desionizada, e secá-lo com nitrogênio filtrado. O manuseio com luvas e ferramentas de sala limpa é essencial para evitar a contaminação por partículas e preservar a integridade da superfície.

P3: Como a consistência dimensional é mantida durante a produção?
R3: A consistência dimensional é monitorada por meio de inspeção óptica em linha e medições baseadas em micrômetros. Esse processo garante que cada wafer esteja em conformidade com o tamanho de 10x10 mm e com as tolerâncias de espessura de 0,1 mm exigidas para aplicações de processamento de semicondutores.

Informações adicionais

Os wafers de safira, compostos de óxido de alumínio, são amplamente utilizados em aplicações microeletrônicas e optoeletrônicas devido à sua inércia química e estabilidade térmica. As propriedades intrínsecas do Al2O3, aliadas a uma orientação de plano C controlada com precisão, fornecem uma plataforma confiável para processos de pesquisa e fabricação industrial.

A compreensão do comportamento físico e químico dos substratos de safira ajuda os cientistas de materiais a otimizar o desempenho dos dispositivos. Métodos analíticos, como a difração de raios X e a microscopia eletrônica, oferecem informações sobre a microestrutura, permitindo previsões precisas do desempenho em ambientes de alta precisão.