Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada

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CY8542 Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada

Número de catálogo.	CY8542
Material	Silício
Forma	Redondo

A Stanford Advanced Materials (SAM) é uma fornecedora global confiável de materiais de alto desempenho, reconhecida por sua experiência, confiabilidade e compromisso com a inovação. Nosso substrato de cristal de silício (Si) (100) com diâmetro de 1 polegada é cuidadosamente fabricado para atender aos exigentes padrões do setor, oferecendo pureza, uniformidade e precisão dimensional superiores para pesquisa e produção avançadas. Com décadas de experiência atendendo a setores de ponta em todo o mundo, a SAM fornece consistentemente substratos confiáveis e de alta qualidade otimizados para o desenvolvimento de semicondutores. Descubra como a nossa rigorosa garantia de qualidade e o atendimento ágil ao cliente nos distinguem como um parceiro de primeira linha para todas as suas necessidades de materiais avançados.

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Silicon (Si) Crystal Substrate (100) Dia. 1 inch

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Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada Descrição

O substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada é meticulosamente projetado para oferecer uniformidade e pureza excepcionais, o que o torna a base ideal para uma ampla gama de aplicações microeletrônicas e fotônicas. Com baixa densidade de defeitos e tolerância de espessura apertada, esse wafer de cristal único garante resultados consistentes em processos como crescimento epitaxial, deposição de filme fino e fabricação de dispositivos. Sua orientação cristalográfica (100) proporciona propriedades elétricas e mecânicas ideais, além de uma estrutura de rede estável propícia a aplicações de alta precisão.

Fabricado sob rigorosos padrões de controle de qualidade, esse substrato atende ou excede os padrões de referência do setor em termos de rugosidade da superfície, precisão dimensional e composição do material. Sua excelente condutividade térmica e resistência mecânica robusta garantem um desempenho confiável mesmo em condições desafiadoras. Quer seja usado em pesquisa, prototipagem ou produção de alto volume, esse wafer de silicone premium oferece a consistência e a durabilidade que as inovações de alta tecnologia atuais exigem.

Silicon (Si) Crystal Substrate (100) Dia. 1 polegada Aplicações

Na eletrônica de ponta e na pesquisa de materiais avançados, o substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada se destaca por sua estrutura uniforme, alta pureza e excelente estabilidade térmica. Essas características garantem a mobilidade eficiente dos portadores de carga e a integridade mecânica robusta. Consequentemente, esse substrato permite que fabricantes, pesquisadores e empresários ultrapassem os limites do desempenho dos dispositivos, das descobertas científicas e das soluções inovadoras de produtos.

1. aplicações industriais

-Fabricação de dispositivos semicondutores: Aproveita a orientação uniforme do cristal e a alta pureza para produzir circuitos integrados confiáveis com desempenho otimizado.

-Produção de sensores de alta precisão: Aproveita a excelente estabilidade térmica para sensores que exigem medições precisas e consistentes em ambientes exigentes.

2. aplicações de pesquisa

-Investigações sobre computação quântica: Aproveita a mobilidade superior dos portadores de carga para explorar processos quânticos e desenvolver arquiteturas computacionais de última geração.

-Experimentos ópticos e fotônicos: Oferece uma plataforma estável para investigar tecnologias baseadas em luz e avanços na ciência dos materiais.

3. aplicativos comerciais

-Avanços em eletrônicos de consumo: Possibilita dispositivos mais rápidos, menores e com maior eficiência energética graças à integridade mecânica robusta e aos recursos consistentes de dopagem.

-Células solares de película fina: Oferece um substrato confiável para projetos fotovoltaicos inovadores que buscam maximizar a eficiência da conversão de energia.

Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. Embalagem de 1 polegada

Cada substrato de cristal de silício (Si) (100) de 1 polegada de diâmetro é selado em um ambiente de sala limpa e protegido por um saco de polietileno antiestático de camada dupla. Envolvido em um suporte de plástico almofadado ou em um recipiente revestido de espuma, o substrato permanece protegido contra estresse mecânico e contaminantes. Armazene-o em uma área seca e com temperatura controlada para manter a integridade do wafer. Medidas de proteção adicionais, como gabinetes selados e purgados com nitrogênio, estão disponíveis mediante solicitação, garantindo soluções de embalagem totalmente personalizadas.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada Perguntas frequentes

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada?

R1: O substrato normalmente apresenta uma estrutura monocristalina alinhada à orientação (100) para perfis de dopagem uniformes. Ele é conhecido pela alta mobilidade eletrônica, espessura consistente e resistividade precisa, geralmente na faixa de ohm-cm. A condutividade térmica também é notável, facilitando a dissipação de calor. Seus baixos níveis de impureza garantem defeitos mínimos, tornando-o adequado para aplicações de semicondutores de alto desempenho.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Para um manuseio seguro, deve-se sempre usar luvas para salas limpas ou protetores de dedos para evitar a contaminação por óleos ou partículas. Evite tocar diretamente na superfície polida e use pinças limpas e antiestáticas ou aspiradores de pó ao mover o substrato. Armazene o wafer em um suporte de proteção ou em um recipiente selado em um ambiente com umidade controlada para minimizar a oxidação e o acúmulo de partículas. Inspecione regularmente as condições de armazenamento para manter a qualidade do substrato.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada?

R3: Os fabricantes geralmente aderem à norma ISO 9001 para o gerenciamento da qualidade, garantindo processos de produção consistentes e documentação rigorosa. Os substratos geralmente estão em conformidade com os padrões SEMI para dimensão de wafer, planicidade e acabamento de superfície, garantindo a comparabilidade em todo o setor de semicondutores. Certificações adicionais, como a ISO 14001, também podem ser relevantes, enfatizando a responsabilidade ambiental. Cada lote geralmente é fornecido com dados de inspeção de material, verificando especificações como orientação, espessura, rugosidade da superfície e resistividade.

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1. Propriedades e vantagens do material

Fabricado com um diâmetro consistente de 1 polegada, a orientação do substrato de cristal de silício (Si) (100) é valorizada por sua estrutura cristalina uniforme e alta pureza. Seu alinhamento cristalográfico exclusivo garante um comportamento elétrico estável, vital para aplicações de alta precisão, como componentes microeletrônicos e dispositivos optoeletrônicos. A rigidez mecânica é outro recurso importante, permitindo maior resistência à deformação e ao estresse térmico durante processos de fabricação prolongados.

Ao contrário dos wafers maiores, esse substrato de diâmetro menor oferece maior versatilidade no desenvolvimento de protótipos ou na produção em escala laboratorial. Seu tamanho compacto simplifica o manuseio e reduz a probabilidade de danos, tornando-o a escolha ideal para instalações de pesquisa que exploram projetos especializados de semicondutores. Juntamente com a planicidade confiável e o controle rígido da espessura, ele oferece uma base robusta para a obtenção de resultados precisos na experimentação de dispositivos avançados.

2. Aplicações em setores avançados

Aclamado por suas superfícies lapidadas com precisão, o substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 1 polegada é essencial para campos de ponta, incluindo fotônica, nanotecnologia e engenharia de sensores. Em empreendimentos fotônicos, a orientação consistente do substrato suporta a propagação consistente de ondas, garantindo a manipulação superior da luz, essencial para sistemas ópticos de última geração. Nos laboratórios de nanotecnologia, sua estrutura atômica rígida permite a nanofabricação confiável, impulsionando inovações em circuitos miniaturizados e plataformas de detecção biomolecular.

Os engenheiros do setor eletrônico integraram esse substrato a dispositivos de energia, matrizes de transistores e módulos sem fio avançados. A orientação estável (100) reduz os defeitos do cristal, permitindo maior rendimento dos dispositivos e melhor desempenho em aplicações de alta frequência. Seu diâmetro compacto, aliado à uniformidade da superfície, faz com que seja a opção preferida para processos precisos de colagem de wafer e deposição em camadas, ressaltando ainda mais seu papel fundamental no progresso dos semicondutores modernos.

Especificação

Propriedade	Valor
Fórmula Linear	Si
Pureza	99.99%
Orientação do cristal	(100)
Método de crescimento	Czochralski, zona flutuante
Estrutura do cristal	Cúbica
Constante de rede	a = 0,543095 nm
Ponto de fusão (°C)	1414 °C
Coeficiente de expansão térmica (/K)	2.3
Dureza (Mohs)	7
Massa molar (g/mol)	28.08
Densidade	2,33 g/cm³ (2330 kg/m³)
Índice de refração	n = 3.9766
Constante dielétrica	11,7 (silício não dopado em baixa frequência)
Estabilidade química	Estável
Tamanhos	Dia. 1 polegada
Espessura típica	0,5 mm
Tolerâncias de tamanho	±0,1 mm
Tolerâncias de espessura	±0,015 mm
Precisão de orientação	±0.5°
Opções de polimento	Face única (1SP) ou face dupla (2SP)
Rugosidade da superfície (Ra)	< 0,5 nm
Faixa de transmissão espectral	1,1 µm (1100 nm)
Condutividade térmica (W/m-K)	46,06 @ 0 °C, 25,12 @ 100 °C, 12,56 @ 400 °C
Absorção de água	0%
Resistência à flexão	380 MPa
Temperatura máxima de trabalho Temperatura de trabalho	1200 °C

*As informações sobre o produto acima são baseadas em dados teóricos e servem apenas como referência. As especificações reais podem variar.

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