Por favor, comece a falar.

Wafer de silício CY9432 com 50 nm de diâmetro de ouro. 4 polegadas x 525 μm de espessura

Número de catálogo. CY9432
Material Silício, ouro
Forma Disco
Formulário Wafer

Wafer de silício com 50 nm de ouro dia. 4 polegadas x 525 μm de espessura é um substrato de silício que apresenta uma camada de ouro de 50 nm depositada com precisão em um wafer de quatro polegadas de diâmetro e 525 μm de espessura. A Stanford Advanced Materials (SAM) aplica inspeções ópticas rigorosas e avaliações da rugosidade da superfície para controlar a uniformidade do filme. O processo de deposição minimiza a contaminação por partículas e garante uma metalização homogênea durante o processamento do wafer, o que é fundamental para aplicações de fabricação de semicondutores.

Pedido de cotação
Adicionar à comparação
Adicionar à comparação
Silicon Wafer with 50 nm Gold Dia. 4 inch x 525 μm thick
Silicon Wafer with 50 nm Gold Dia. 4 inch x 525 μm thick
Descrição da
Especificação
Avaliações

Comparar itens semelhantes

Mostrar diferenças

Este item
Adicionar à lista
Material
Silício, ouro
Forma
Disco
Formulário
Wafer
 
Adicionar à lista
Adicionar à comparação
Pureza
99,99%
Fórmula química
GaSb
Diâmetro
2", 3", 4"
Espessura
500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm
Orientação
(100) / (111) ±0,5°
 
Adicionar à lista
Adicionar à comparação
Material
GaN
Espessura
300-450um
Diâmetro
Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"
 
Adicionar à lista
Adicionar à comparação
Material
Al2O3
Espessura
0,35-1 mm, ou personalizado
Diâmetro
Ø 1-8", ou personalizado
Formulário
Wafer
Pureza
≥99.999%
Sinônimos
Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

SOLICITAR UM ORÇAMENTO

Envie-nos uma consulta hoje mesmo para saber mais e receber os preços mais recentes. Obrigado!

País*

Brasil

    Tipos de arquivos aceitos: PDF, png, jpg, jpeg. Carregue vários arquivos de uma vez; cada arquivo deve ter menos de 2 MB.

    *Código de controlo

    Deixar uma mensagem