Wafer de silício CY9433 com 100 nm de diâmetro de ouro. 4 polegadas x 525 μm de espessura

Wafer de silício com 100 nm de diâmetro de ouro. 4 polegadas x 525 μm de espessura Descrição

Wafer de silício com 100 nm de diâmetro de ouro. 4 polegadas x 525 μm de espessura compreende um substrato de silício uniformemente revestido com um filme de ouro de 100 nm usando deposição física controlada de vapor. O diâmetro de 4 polegadas emparelhado com uma espessura de 525 μm garante a compatibilidade com o equipamento padrão de processamento de semicondutores. A camada de ouro proporciona baixa resistividade elétrica e inércia química, tornando-a adequada como plataforma de teste para medições elétricas e estudos de adesão na prototipagem de substratos.

Wafer de silício com 100 nm de ouro Dia. 4 polegadas x 525 μm de espessura Aplicações

1.eletrônica
- Usado como substrato na fabricação de circuitos integrados para obter um desempenho elétrico definido, aproveitando o revestimento uniforme de ouro.
- Aplicado em configurações de calibração de sensores para reduzir a resistência de contato, utilizando as propriedades consistentes do filme de metal.

2.pesquisa e desenvolvimento
- Empregado como wafer de teste na otimização de processos para monitorar a uniformidade da deposição, aproveitando a camada de ouro controlada com precisão.
- Frequentemente usado como material de referência em estudos de superfície para avaliar as características de ligação e adesão, aproveitando a interface de ouro quimicamente inerte.

Wafer de silício com 100 nm de diâmetro de ouro. 4 polegadas x 525 μm de espessura Embalagem

O wafer é protegido em um recipiente antiestático com uma inserção de espuma para atenuar o choque mecânico e a contaminação. Ele é colocado em uma bolsa purgada com nitrogênio para minimizar a oxidação e a exposição a partículas. A embalagem incorpora proteção de borda e permite opções de rotulagem personalizadas. Essas medidas ajudam a manter a integridade do substrato durante o transporte e o armazenamento de longo prazo em ambientes controlados.

Perguntas frequentes

P1: Como vocês verificam a uniformidade do revestimento de ouro de 100 nm?
R1: A espessura da camada de ouro é confirmada por meio de reflectometria de raios X e microscopia de força atômica. Essas técnicas de medição fornecem dados quantitativos sobre a uniformidade do filme, o que é essencial para garantir o comportamento elétrico adequado em aplicações de semicondutores.

P2: Qual é a rugosidade da superfície observada nesses wafers?
A2: A rugosidade da superfície é caracterizada por meio de microscopia de força atômica, normalmente mostrando variações subnanométricas. A baixa rugosidade da superfície favorece a deposição uniforme do filme e propriedades consistentes da interface para a fabricação de dispositivos.

P3: Como a embalagem protege o wafer durante o manuseio e o transporte?
R3: O wafer é acondicionado em um recipiente antiestático e purgado com nitrogênio, com inserções de espuma para amortecer choques e evitar a contaminação por partículas. Essas medidas ajudam a preservar a condição da superfície e a integridade estrutural do wafer durante o transporte.

Informações adicionais

Os wafers de silício servem como uma plataforma fundamental na fabricação de dispositivos semicondutores, suportando vários processos de deposição e litográficos. A aplicação de uma fina película de ouro aumenta a condutividade elétrica e a estabilidade química, fatores essenciais para medições elétricas precisas e estudos de ligação em ambientes de pesquisa.

A deposição de ouro no silício exige um controle rigoroso das condições de deposição e das camadas de adesão. Técnicas como difração de raios X e microscopia de força atômica são rotineiramente empregadas para avaliar a integridade do filme. O entendimento dessas interações de materiais contribui para melhorar o controle do processo e o desempenho do dispositivo em microeletrônica.