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Wafer de silício CY9434 com 100 nm de diâmetro de ouro. 2 polegadas x 525 μm de espessura

Número de catálogo. CY9434
Material Silício, ouro
Forma Disco
Formulário Wafer

Wafer de silício com 100 nm de ouro Dia. 2 polegadas x 525 μm de espessura é um substrato de silício que apresenta uma camada de ouro de 100 nm depositada com precisão para melhorar a condutividade e as propriedades da superfície. A Stanford Advanced Materials (SAM) emprega técnicas de deposição controlada e análise da morfologia da superfície usando SEM e AFM para verificar a uniformidade e a espessura da camada. Esse rigoroso controle de qualidade garante um produto consistente para ambientes de fabricação de semicondutores e microeletrônica.

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Silicon Wafer with 100 nm Gold Dia. 2 inch x 525 μm thick
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Material
Silício, ouro
Forma
Disco
Formulário
Wafer
 
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Pureza
99,99%
Fórmula química
GaSb
Diâmetro
2", 3", 4"
Espessura
500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm
Orientação
(100) / (111) ±0,5°
 
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Material
GaN
Espessura
300-450um
Diâmetro
Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"
 
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Material
Al2O3
Espessura
0,35-1 mm, ou personalizado
Diâmetro
Ø 1-8", ou personalizado
Formulário
Wafer
Pureza
≥99.999%
Sinônimos
Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

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