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  • CY2427 Substratos de cristal de dióxido de silício (quartzo SiO2)

    • CY2427 Substratos de cristal de dióxido de silício (quartzo SiO2)

    Número de catálogo. CY2427
    Dimensões 10x10x1,0 mm; 10x5x1,0 mm
    Material SiO2 (quartzo)
    Orientação (100)(101)

    A Stanford Advanced Materials (SAM) oferece uma variedade de tamanhos de substratos de cristal único de dióxido de silício SiO2 (quartzo). Temos uma equipe de vendas profissional para oferecer uma resposta rápida dentro de 24 horas e um serviço caloroso.

    Produtos relacionados: Substrato de cristal LiAlO2, Substrato de cristal LAST, Substrato de cristal LiF, Substrato de cristal NdGaO3, Substrato de cristal único de antimoneto de gálio.

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    CY2427 Substratos de cristal de dióxido de silício (quartzo SiO2)
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    Dimensões
    10x10x1,0 mm; 10x5x1,0 mm
    Material
    SiO2 (quartzo)
    Orientação
    (100)(101)
     
    CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)
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    Pureza
    99,99%
    Fórmula química
    GaSb
    Diâmetro
    2", 3", 4"
    Espessura
    500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm
    Orientação
    (100) / (111) ±0,5°
     
    NR2172 Wafer de nitreto de gálio
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    Material
    GaN
    Espessura
    300-450um
    Diâmetro
    Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"
     
    Wafer de safira CY2173
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    Material
    Al2O3
    Espessura
    0,35-1 mm, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 1-8", ou personalizado
    Formulário
    Wafer
    Pureza
    ≥99.999%
    Sinônimos
    Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

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    NR2172 Wafer de nitreto de gálio
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    https://www.samaterials.com/images/sc/1765956847-normal-CY2173.jpg
    Wafer de safira CY2173
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    Silicon Wafer
    Wafer de silício CY2174
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    Silicon Carbide Wafer
    Wafer de carbeto de silício CY2175
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    Gallium Antimony Wafer (GaSb)
    GA2268 Pastilha de gálio e antimônio (GaSb)
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    Substratos de wafers de óxido de magnésio MG2274
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    SC2275 Silicon Thermal Oxide Wafer
    SC2275 Wafer de óxido térmico de silício
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