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  • Substratos de cristal
  • CY2430 Substratos de cristal de zircônia estabilizada com ítria (YSZ)

    • CY2430 Substratos de cristal de zircônia estabilizada com ítria (YSZ)

    Número de catálogo. CY2430
    Dimensões dia2" ×0,5mm, 25×25×0,5mm, 15×15×0,5mm,10×10×0,5mm
    Material YSZ
    Orientação (100), (110), (111), +/- 0,5 grau
    Método de crescimento Derretimento do crânio, método do cadinho frio

    A Stanford Advanced Materials (SAM) oferece uma variedade de tamanhos de substrato monocristalino de YSZ. Temos uma equipe de vendas profissional para oferecer uma resposta rápida em 24 horas e um serviço caloroso.

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    CY2430 Substratos de cristal de zircônia estabilizada com ítria (YSZ)
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    Dimensões
    dia2" ×0,5mm, 25×25×0,5mm, 15×15×0,5mm,10×10×0,5mm
    Material
    YSZ
    Orientação
    (100), (110), (111), +/- 0,5 grau
    Método de crescimento
    Derretimento do crânio, método do cadinho frio
     
    Wafer de safira CY2173
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    Material
    Al2O3
    Espessura
    0,35-1 mm, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 1-8", ou personalizado
    Formulário
    Wafer
    Pureza
    ≥99.999%
    Sinônimos
    Pastilha de safira, pastilha de Al2O3
     
    Wafer de silício CY2174
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    Material
    Si
    Espessura
    0,25-1 mm, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 2-12", ou personalizado
    Pureza
    ≥99,999%, ou personalizado
    Sinônimos
    Pastilha de silício, pastilha de Si
     
    Wafer de carbeto de silício CY2175
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    Material
    SiC
    Espessura
    260 um a 500 um, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 1"-12", ou personalizado
    Formulário
    Wafer
    Sinônimos
    Pastilha de carbeto de silício, pastilha de SiC

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    Wafer de safira CY2173
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    Silicon Wafer
    Wafer de silício CY2174
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    Wafer de carbeto de silício CY2175
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    ZN2277 Zinc Oxide Wafers Substrates
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    Substratos de cristal LSAT CY2299
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