CY2460 Substratos de cristal de óxido de zinco (ZnO)

Número de catálogo.	CY2460
Dimensões	5 mm x 5 mm; 10 mm x 10 mm; 20 mm x 20 mm
Material	ZnO
Orientação	(0001),(10-10) e (10-20)
Método de crescimento	método hidrotérmico

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CY2460 Substratos de cristal de óxido de zinco (ZnO)

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Dimensões

5 mm x 5 mm; 10 mm x 10 mm; 20 mm x 20 mm

Material

ZnO

Orientação

(0001),(10-10) e (10-20)

Método de crescimento

método hidrotérmico

NR2172 Wafer de nitreto de gálio

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Material

GaN

Espessura

300-450um

Diâmetro

Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"

Wafer de safira CY2173

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Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

Wafer de silício CY2174

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Material

Espessura

0,25-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 2-12", ou personalizado

Pureza

≥99,999%, ou personalizado

Sinônimos

Pastilha de silício, pastilha de Si

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https://www.samaterials.com/images/sc/1765956847-normal-CY2173.jpg

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Substrato de cristal de ZnO
Pureza em wt%	> 99.99
Impureza: wt%	Mg: < 0,0005 Al: < 0,0030 Si: 0,0030 Ti: 0,0010 Cu: < 0,0030 Fe: < 0,005 Ca: < 0,0005 Ag: < 0,0002
Polimento	um lado polido
Rugosidade da superfície	< 5A
Expansividade térmica	Escala de 4 moh
Dureza	27
Densidade	5,7 ^g/cm3
Ponto de fusão	1975 ^oC
Polido	Polido em um lado ou em dois lados
Condutividade térmica	0,006 cal/cm/^oK
Embalagem	100 sacos limpos, caixa de wafer com um ou vários chips

Substrato de cristal de ZnO
Pureza em wt%	> 99.99
Impureza: wt%	Mg: < 0,0005 Al: < 0,0030 Si: 0,0030 Ti: 0,0010 Cu: < 0,0030 Fe: < 0,005 Ca: < 0,0005 Ag: < 0,0002
Polimento	um lado polido
Rugosidade da superfície	< 5A
Expansividade térmica	Escala de 4 moh
Dureza	27
Densidade	5,7 ^g/cm3
Ponto de fusão	1975 ^oC
Polido	Polido em um lado ou em dois lados
Condutividade térmica	0,006 cal/cm/^oK
Embalagem	100 sacos limpos, caixa de wafer com um ou vários chips

CY2460 Substratos de cristal de óxido de zinco (ZnO)

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