CY2460 Substratos de cristal de óxido de zinco (ZnO)

Número de catálogo.	CY2460
Dimensões	5 mm x 5 mm; 10 mm x 10 mm; 20 mm x 20 mm
Material	ZnO
Orientação	(0001),(10-10) e (10-20)
Método de crescimento	método hidrotérmico

Fornecemos uma variedade de tamanhos de substratos de cristal de óxido de zinco ZnO. Temos uma equipe de vendas profissional para oferecer uma resposta rápida dentro de 24 horas e um serviço caloroso.

Produtos relacionados: Substrato de cristal LiAlO2, Substrato de cristal LAST, Substrato de cristal LiF, Substrato de cristal NdGaO3, Substrato de cristal único de antimoneto de gálio.

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CY2460 Substratos de cristal de óxido de zinco (ZnO)

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Dimensões

5 mm x 5 mm; 10 mm x 10 mm; 20 mm x 20 mm

Material

ZnO

Orientação

(0001),(10-10) e (10-20)

Método de crescimento

método hidrotérmico

CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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Pureza

99,99%

Fórmula química

GaSb

Diâmetro

2", 3", 4"

Espessura

500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm

Orientação

(100) / (111) ±0,5°

NR2172 Wafer de nitreto de gálio

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Material

GaN

Espessura

300-450um

Diâmetro

Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"

Wafer de safira CY2173

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Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

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CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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*Código de controlo

Substrato de cristal de ZnO
Pureza em wt%	> 99.99
Impureza: wt%	Mg: < 0,0005 Al: < 0,0030 Si: 0,0030 Ti: 0,0010 Cu: < 0,0030 Fe: < 0,005 Ca: < 0,0005 Ag: < 0,0002
Polimento	um lado polido
Rugosidade da superfície	< 5A
Expansividade térmica	Escala de 4 moh
Dureza	27
Densidade	5,7 ^g/cm3
Ponto de fusão	1975 ^oC
Polido	Polido em um lado ou em dois lados
Condutividade térmica	0,006 cal/cm/^oK
Embalagem	100 sacos limpos, caixa de wafer com um ou vários chips

Substrato de cristal de ZnO
Pureza em wt%	> 99.99
Impureza: wt%	Mg: < 0,0005 Al: < 0,0030 Si: 0,0030 Ti: 0,0010 Cu: < 0,0030 Fe: < 0,005 Ca: < 0,0005 Ag: < 0,0002
Polimento	um lado polido
Rugosidade da superfície	< 5A
Expansividade térmica	Escala de 4 moh
Dureza	27
Densidade	5,7 ^g/cm3
Ponto de fusão	1975 ^oC
Polido	Polido em um lado ou em dois lados
Condutividade térmica	0,006 cal/cm/^oK
Embalagem	100 sacos limpos, caixa de wafer com um ou vários chips

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North America

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Europe

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CY2460 Substratos de cristal de óxido de zinco (ZnO)

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