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  • CY2534 Substratos de cristal único de silicato de lutécio dopado com íons de cério (Ce3+) (Ce:Lu2SiO5)

    • CY2534 Substratos de cristal único de silicato de lutécio dopado com íons de cério (Ce3+) (Ce:Lu2SiO5)

    Número de catálogo. CY2534
    Dimensões 10x10x0,5 mm
    Material Lu2SiO5
    Orientação (001 ) +/-0.5 0
    Método de crescimento Método CZ

    Os substratos de cristal únicoCe:Lu2SiO5 podem ser usados no campo de semicondutores e aplicações de foto-óptica. A Stanford Advanced Materials (SAM) tem vasta experiência na fabricação e venda desubstratos de cristal único Ce:Lu2SiO5 .

    Produtos relacionados: Substrato de cristal LiAlO2, Substrato de cristal LAST, Substrato de cristal NdGaO3, Substrato de cristal único de antimoneto de gálio.

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    Ce:Lu2SiO5 Single Crystal Substrates
    Ce:Lu2SiO5 Single Crystal Substrates
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    CY2534 Substratos de cristal único de silicato de lutécio dopado com íons de cério (Ce3+) (Ce:Lu2SiO5)
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    Dimensões
    10x10x0,5 mm
    Material
    Lu2SiO5
    Orientação
    (001 ) +/-0.5 0
    Método de crescimento
    Método CZ
     
    NR2172 Wafer de nitreto de gálio
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    Material
    GaN
    Espessura
    300-450um
    Diâmetro
    Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"
     
    Wafer de safira CY2173
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    Material
    Al2O3
    Espessura
    0,35-1 mm, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 1-8", ou personalizado
    Formulário
    Wafer
    Pureza
    ≥99.999%
    Sinônimos
    Pastilha de safira, pastilha de Al2O3
     
    Wafer de silício CY2174
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    Material
    Si
    Espessura
    0,25-1 mm, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 2-12", ou personalizado
    Pureza
    ≥99,999%, ou personalizado
    Sinônimos
    Pastilha de silício, pastilha de Si

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