CY9489 300 mm Tipo P (dopado com B) Substrato de wafer de silício Grau de teste (100), DSP, 1-100 ohm-cm

Número de catálogo.	CY9489
Material	Si
Forma	Disco
Formulário	Substrato

O substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de 300 mm, grau de teste (100), DSP, 1-100 ohm-cm é um substrato de silício produzido para testes de semicondutores com uma orientação cristalográfica (100) controlada. A Stanford Advanced Materials (SAM) utiliza um regime rigoroso de dopagem de boro e técnicas de avaliação de defeitos em linha, incluindo imagens de alta resolução, para garantir valores de resistividade entre 1 e 100 ohm-cm. O tratamento DSP minimiza ainda mais as imperfeições da superfície, o que é essencial para avaliações precisas do desempenho elétrico.

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300 mm P Type (B-doped) Silicon Wafer Substrate Test Grade <100>, DSP, 1-100 ohm·cm

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CY9489 300 mm Tipo P (dopado com B) Substrato de wafer de silício Grau de teste (100), DSP, 1-100 ohm-cm

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Material

Forma

Disco

Formulário

Substrato

CAT0075 Disilicida de tântalo (TaSi2) em pó (número CAS 12039-79-1)

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Pureza

99.9%

Número CAS

12039-79-1

Peso molecular

237.12

Densidade

9,14 g/cm3

NR0103 Nitreto de silício em pó (CAS No.12033-89-5)

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Número CAS

12033-89-5

Fórmula química

Si3N4

Tamanho da partícula

Personalizado

Aparência

Pó branco-acinzentado

Pureza

≥99%

Sinônimos

Nitreto de silício em pó, Si3N4 em pó

NN0219 Nitreto de silício nano (Si3N4) em pó (número CAS 12033-89-5)

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Número CAS

12033-89-5

APS

~100 nm

Formulário

Pó branco-acinzentado

Pureza

99.9%

Sinônimos

Nano nitreto de silício em pó, nanopó de Si3N4

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Bocal de quartzo SM18695

CAT0075 Disilicida de tântalo (TaSi2) em pó (número CAS 12039-79-1)

https://www.samaterials.com/images/sc/1768531563-normal-NR0103.jpg

NR0103 Nitreto de silício em pó (CAS No.12033-89-5)

Nano Silicon Nitride (Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)

NN0219 Nitreto de silício nano (Si3N4) em pó (número CAS 12033-89-5)

Micro Silicon Nitride (α-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)

NR0220 Micro nitreto de silício (α-Si3N4) em pó (número CAS 12033-89-5)

Micro Silicon Nitride (β-Si3N4) Powder (CAS No. 12033-89-5)

NR0221 Micro nitreto de silício (β-Si3N4) em pó (número CAS 12033-89-5)

HF0235 Siliceto de háfnio (HfSi2) em pó (número CAS 12401-56-8)

Nano Silicon Powder (Si) (CAS No.7440-21-3)

NN0237 Nano Silício em pó (Si) (CAS No.7440-21-3)

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Especificação	Detalhes
Material	Silício
Método de crescimento	CZ
Orientação	<100>
Dimensões	Dia. 300 mm x 0,775 mm
Tipo / Dopante	P / Boro
Acabamento da superfície	Polido em dois lados
Resistividade elétrica	1-100 ohm-cm

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

CY9489 300 mm Tipo P (dopado com B) Substrato de wafer de silício Grau de teste (100), DSP, 1-100 ohm-cm

Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de 300 mm Grau de teste (100), DSP, 1-100 ohm-cm Descrição

300 mm Tipo P (dopado com B) Substrato de wafer de silício Grau de teste (100), DSP, 1-100 ohm-cm Aplicações

Wafer de silício tipo P (dopado com B) de 300 mm Grau de teste do substrato (100), DSP, 1-100 ohm-cm Embalagem

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