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  • ST11217 Alvo planar de siliceto de titânio, alvo de TiSi2

    • ST11217 Alvo planar de siliceto de titânio, alvo de TiSi2

    Número de catálogo. ST11217
    Composição TiSi2
    Pureza ≥99,9%, ou personalizado
    Formulário Alvo
    Forma Retangular
    Dimensões Personalizado

    O alvo planar de siliceto de titânio, TiSi2, é um alvo de sputtering projetado para aplicações de deposição de filmes finos. A Stanford Advanced Materials (SAM) emprega rigorosos controles de processo, incluindo microscopia eletrônica de varredura e análise de difração de raios X para supervisionar a consistência microestrutural. O alvo é produzido com uma composição controlada para minimizar defeitos e liberação de partículas, garantindo a erosão uniforme do material em toda a superfície durante a pulverização.

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    Titanium Silicide Planar Target, TiSi2 Target
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    ST11217 Alvo planar de siliceto de titânio, alvo de TiSi2
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    Composição
    TiSi2
    Pureza
    ≥99,9%, ou personalizado
    Formulário
    Alvo
    Forma
    Retangular
    Dimensões
    Personalizado
     
    CY0027 Pastilhas de tantalato de lítio (pastilhas de LiTaO3)
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    Pureza
    99.9%
    Número CAS
    12031-66-2
    Espessura
    0,35-1 mm
    Sinônimos
    Pastilha de tantalato de lítio, pastilha de LiTaO3
     
    TA1001 Cristal único de tântalo (cristal único Ta)
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    Pureza
    99.99%
    Dimensões
    Personalizado
    Orientação
    (100), (110) e (111)
    Sinônimos
    Cristal único de tântalo, cristal único de Ta
     
    CY2298 Substratos de cristal de tantalato de potássio (KTaO₃)
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    Dimensões
    20 x 20 x 0,5 mm, 10 x 10 x 0,5 mm, 5 x 5 x 0,5 mm
    Material
    KTaO₃
    Orientação
    <100>, <110>, <111>
    Método de crescimento
    Método de Czochralski

    FAQ

    Quais fatores afetam a uniformidade do filme ao usar um alvo planar de siliceto de titânio para pulverização?

    A configuração plana e a microestrutura controlada contribuem para a erosão uniforme em toda a superfície do alvo. Isso minimiza a geração de partículas e garante a deposição consistente de filmes finos, desde que as condições de pulverização sejam bem reguladas.

    Como a personalização das dimensões do alvo beneficia as aplicações de sputtering?

    As dimensões personalizadas permitem a integração com vários sistemas de pulverização catódica, facilitando a densidade de potência e as configurações de resfriamento ideais. Essa personalização ajuda a obter uma deposição uniforme do filme e a ajustar os parâmetros do processo aos requisitos específicos do sistema.

    Quais técnicas analíticas são usadas durante o controle de qualidade desses alvos?

    O controle de qualidade envolve a avaliação da morfologia da superfície usando microscopia eletrônica de varredura e microscopia de força atômica. Essas técnicas verificam a integridade microestrutural e garantem o mínimo de defeitos, o que é fundamental para manter a consistência da deposição.

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    CY2298 Substratos de cristal de tantalato de potássio (KTaO₃)
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    CY2425 Cristal de Niobato de Tantalato de Potássio, Cristal KTN
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    Tantalum Disulfide (1T-TaS2) Crystal
    Cristal de Dissulfeto de Tântalo (1T-TaS2) CY4394
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    Tantalum Silicide Planar Target, TaSi2 Target
    ST11216 Alvo planar de siliceto de tântalo, alvo de TaSi2
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