CM18721 Substratos cerâmicos com revestimento direto de cobre (DPC)

Número de catálogo.	CM18721
Formulário	Chapa / Folha
Dimensões	Tamanhos personalizados de até 200 mm x 200 mm
Pureza	≥ 99,9%
Sinônimos	Substratos cerâmicos revestidos diretamente com cobre, cerâmicas DPC, substratos cerâmicos metalizados

Os substratos cerâmicos de cobre galvanizado diretamente (DPC) são cerâmicas metalizadas de película fina caracterizadas por cobre de alta pureza galvanizado diretamente sobre bases de alumina (Al₂O₃) ou nitreto de alumínio (AlN). A SAM fabrica padrões de circuitos com alta adesão entre o metal e a cerâmica e baixa rugosidade superficial, o que aumenta a transferência de calor e a conectividade elétrica em embalagens microeletrônicas.

Produtos relacionados: Substrato cerâmico de cobre com ligação direta (DBC), Substrato cerâmico de nitreto de alumínio (AlN) banhado a ouro, Substrato cerâmico de alúmina banhado a níquel-ouro

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Direct Plated Copper (DPC) Ceramic Substrates

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Propriedade	Valor
Materiais de base cerâmicos	Alúmina (_Al₂O₃), Nitreto de alumínio (AlN)
Espessura da camada de cobre	10 µm a 100 µm
Espessura da base cerâmica	0,15 mm a 1,0 mm
Rugosidade da superfície (Ra)	≤ 0,3 µm
Largura da linha / Espaçamento	Até 30 µm / 30 µm
Resistência de adesão	≥ 20 MPa (ou ≥ 1,5 kg/mm²)
Precisão na fabricação da topologia	± 1%
Pureza da camada de cobre	≥ 99,9% de cobre isento de oxigênio
Condutividade térmica	Alúmina: 24–30 W/m·K; Nitreto de alumínio: 170–200 W/m·K
Rigidez dielétrica	≥ 10 kV/mm
Soldabilidade	Compatível com soldas eutéticas padrão (AuSn, SAC)

Propriedade	Valor
Materiais de base cerâmicos	Alúmina (_Al₂O₃), Nitreto de alumínio (AlN)
Espessura da camada de cobre	10 µm a 100 µm
Espessura da base cerâmica	0,15 mm a 1,0 mm
Rugosidade da superfície (Ra)	≤ 0,3 µm
Largura da linha / Espaçamento	Até 30 µm / 30 µm
Resistência de adesão	≥ 20 MPa (ou ≥ 1,5 kg/mm²)
Precisão na fabricação da topologia	± 1%
Pureza da camada de cobre	≥ 99,9% de cobre isento de oxigênio
Condutividade térmica	Alúmina: 24–30 W/m·K; Nitreto de alumínio: 170–200 W/m·K
Rigidez dielétrica	≥ 10 kV/mm
Soldabilidade	Compatível com soldas eutéticas padrão (AuSn, SAC)

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CM18721 Substratos cerâmicos com revestimento direto de cobre (DPC)

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Formulário

Chapa / Folha

Dimensões

Tamanhos personalizados de até 200 mm x 200 mm

Pureza

≥ 99,9%

Sinônimos

Substratos cerâmicos revestidos diretamente com cobre, cerâmicas DPC, substratos cerâmicos metalizados

CM18635 Placa de óxido de titânio (TiO₂) (N.º CAS: 13463-67-7)

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Fórmula química

TiO₂

Formulário

Prato

CM18634 Disco de carboneto de titânio (TiC)

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Aparência

Disco cinza liso

Pureza

≥99,5%

Formulário

Disco

SM15992 Pó de vidro borossilicato de baixo ponto de fusão

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Formulário

Pó

FAQ

Quais são as principais diferenças estruturais entre os substratos de cobre com revestimento direto (DPC) e de cobre com ligação direta (DBC)?

Os substratos DPC utilizam deposição por pulverização catódica de película fina, seguida de galvanoplastia, para formar camadas de cobre com espessura inferior a 100 mícrons sem fase vítrea, obtendo-se traços de circuito mais finos. Os substratos DBC fundem folhas de cobre mais espessas (acima de 120 mícrons) por meio de ligação eutética em alta temperatura, tornando o DBC mais adequado para módulos de alta corrente e o DPC mais adequado para pacotes de alta densidade.

De que forma a ausência de uma fase vítrea na metalização do DPC afeta o desempenho elétrico e térmico?

A metalização de película espessa utiliza ligantes à base de frita de vidro, que aumentam a resistência térmica e elétrica. A tecnologia DPC deposita cobre diretamente sobre a cerâmica por meio da deposição física de vapor. Essa interface direta, sem vidro, otimiza a transferência térmica e a condutividade elétrica, reduzindo a perda de sinal em circuitos de alta frequência.

Qual material cerâmico de base deve ser escolhido para aplicações com LEDs de alta potência e lasers semicondutores?

O nitreto de alumínio (AlN) é o material de base preferido para a dissipação térmica em alta potência. O AlN oferece uma condutividade térmica de 170 a 200 W/m·K, o que é significativamente maior do que a da alumina (24 a 30 W/m·K). Essa maior taxa de transferência de calor reduz as temperaturas de junção durante a operação, prolongando a vida útil dos dispositivos optoeletrônicos.