ST11467 Alvo de silício de titânio, alvo de TiSi

Descrição do alvo de silício de titânio, alvo de TiSi

O alvo de silício de titânio, alvo de TiSi, é um componente de pulverização fabricado com uma composição precisa de TiSi, destinado a processos de deposição na fabricação de semicondutores e microeletrônicos. Seu projeto enfatiza a estequiometria controlada e a minimização da geração de partículas durante o sputtering. O alvo suporta a deposição eficiente de filmes, garantindo a reprodutibilidade do processo e propriedades de revestimento uniformes essenciais para a fabricação de dispositivos avançados.

Aplicações do alvo de titânio-silício, alvo de TiSi

1.eletrônicos
- Usado como fonte de pulverização catódica na fabricação de semicondutores para formar camadas condutoras ou de barreira, solucionando problemas de uniformidade do filme ao aproveitar a composição controlada de TiSi.
- Aplicado como alvo de deposição na fabricação de telas planas para obter uma espessura precisa do filme, garantindo propriedades ópticas e elétricas consistentes.

2.industrial
- Serve como material de revestimento na produção de filmes finos para sensores de precisão, superando os desafios de adesão ao utilizar a microestrutura uniforme do alvo.
- Empregado como fonte de camadas protetoras em sistemas de embalagens eletrônicas para reduzir o desgaste e a corrosão por meio de processos de deposição controlados.

Alvo de silício de titânio, embalagem do alvo de TiSi

O alvo de silício de titânio é embalado em um recipiente protetor antiestático com inserções de espuma personalizadas para amortecer choques mecânicos e minimizar a contaminação por partículas. Ele é lacrado em uma caixa rígida e resistente à umidade para manter a limpeza durante o transporte e o armazenamento. Os protocolos de embalagem exigem o armazenamento em um ambiente limpo e com temperatura estável. Etiquetas personalizadas e configurações alternativas de embalagem estão disponíveis mediante solicitação.

Informações adicionais

Os alvos de pulverização catódica, como o Alvo de Titânio e Silício, desempenham um papel crucial na deposição de materiais em que é necessário um controle preciso da espessura e da composição do filme. Esses alvos são projetados para atender às demandas de aplicações de semicondutores e microeletrônicos de alto desempenho, em que até mesmo pequenas variações nas propriedades do filme podem afetar significativamente o desempenho do dispositivo.

Os avanços na fabricação de alvos melhoraram a reprodutibilidade e reduziram as densidades de defeitos nos filmes depositados. Compreender as relações entre a composição do alvo, os parâmetros de pulverização e as propriedades do filme é essencial para otimizar os processos de fabricação e garantir um desempenho consistente do produto em várias aplicações industriais e de pesquisa.