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Descontinuado (Descontinuado) IN2270 Wafer de antimoneto de índio

Número de catálogo. IN2270
Material InSb
Espessura 500 um - 625 um
Diâmetro Ø 2" Ø 3"

A Stanford Advanced Materials (SAM) oferece uma ampla variedade de wafers compostos, incluindo wafers de GaAs, wafers de GaP, wafers de GaSb, wafers de InAs e wafers de InP.

Produtos relacionados: Wafer de nitreto de gálio,Wafer de arsenieto degálio, Wafer de germânio (Ge wafer), Wafer de fosfeto de gálio, Wafer de arsenieto de índio.

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Material
InSb
Espessura
500 um - 625 um
Diâmetro
Ø 2" Ø 3"
 
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Material
90% In2O3+10% SnO2 / 95% In2O3+5% SnO2
Pureza
>=99.99%
Densidade
7,1g/cm3
 
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Material
Óxido de ferro e índio (InFe2O4)
Pureza
99.9%%
Forma
Pó/grânulo/ personalizado
 
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Material
Óxido de índio (In2O3)
Pureza
99.9% ~ 99.99%
Forma
Pó/grânulo/ personalizado

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