IN2270 Wafer de antimoneto de índio

Número de catálogo.	IN2270
Material	InSb
Espessura	500 um - 625 um
Tipo condutivo	N - tipo
Diâmetro	Ø 2" Ø 3"

A Stanford Advanced Materials (SAM) oferece uma ampla variedade de wafers compostos, incluindo wafers de GaAs, wafers de GaP, wafers de GaSb, wafers de InAs e wafers de InP.

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Crescimento	LEC
Diâmetro	Ø 2" / Ø 3"
Espessura	500 um - 625 um
Orientação	(100)+/- 0.5°
Orientação desligada	Fora de 2° a 10°
Superfície	Um lado polido ou dois lados polidos
Opções planas	EJ ou SEMI. Padrão
Mobilidade	(5,0-3,5)E5 cm2/Vs
EPD	<= 200 cm-2
Grau	Grau polido Epi / grau mecânico
Embalagem	Recipiente de wafer único

Crescimento	LEC
Diâmetro	Ø 2" / Ø 3"
Espessura	500 um - 625 um
Orientação	(100)+/- 0.5°
Orientação desligada	Fora de 2° a 10°
Superfície	Um lado polido ou dois lados polidos
Opções planas	EJ ou SEMI. Padrão
Mobilidade	(5,0-3,5)E5 cm2/Vs
EPD	<= 200 cm-2
Grau	Grau polido Epi / grau mecânico
Embalagem	Recipiente de wafer único

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