Descontinuado (Descontinuado) IN2272 Wafer de fosfeto de índio

Número de catálogo.	IN2272
Material	InP
Espessura	350 um - 625 um
Diâmetro	Ø 2" Ø 3" Ø 4"

A Stanford Advanced Materials (SAM) oferece uma ampla variedade de wafer composto, incluindo wafer de GaAs, wafer de GaP, wafer de GaSb, wafer de InAs e wafer de InP.

Produtos relacionados: Wafer de nitreto de gálio, Wafer de arsenieto de gálio, Wafer de germânio (Ge wafer), Wafer de fosfeto de gálio, Wafer de arsenieto de índio.

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(Descontinuado) IN2272 Wafer de fosfeto de índio

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Material

InP

Espessura

350 um - 625 um

Diâmetro

Ø 2" Ø 3" Ø 4"

ST0334 Alvos de pulverização de óxido de índio e estanho (ITO)

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Material

90% In2O3+10% SnO2 / 95% In2O3+5% SnO2

Pureza

>=99.99%

Densidade

7,1g/cm3

VD0691 Pelotas de óxido de índio e ferro (InFe₂O₄) — Materiais para evaporação

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Material

Óxido de ferro e índio (InFe2O4)

Pureza

99.9%%

Forma

Pó/grânulo/ personalizado

VD0692 Pelotas de óxido de índio (In₂O₃) – Materiais para evaporação

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Material

Óxido de índio (In2O3)

Pureza

99.9% ~ 99.99%

Forma

Pó/grânulo/ personalizado

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*Código de controlo

Crescimento	LEC / VGF
Diâmetro	Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"
Espessura	350 um - 625 um
Orientação	<100> / <111> / <110> ou outros
Orientação desligada	Desligado de 2° a 10°
Superfície	Um lado polido ou dois lados polidos
Opções planas	EJ ou SEMI. Padrão
TTV	<= 10 um
Arco / Urdidura	<= 20 um
Grau	Grau polido Epi / grau mecânico
Embalagem	Recipiente de wafer único

Crescimento	LEC / VGF
Diâmetro	Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"
Espessura	350 um - 625 um
Orientação	<100> / <111> / <110> ou outros
Orientação desligada	Desligado de 2° a 10°
Superfície	Um lado polido ou dois lados polidos
Opções planas	EJ ou SEMI. Padrão
TTV	<= 10 um
Arco / Urdidura	<= 20 um
Grau	Grau polido Epi / grau mecânico
Embalagem	Recipiente de wafer único

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Descontinuado (Descontinuado) IN2272 Wafer de fosfeto de índio

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