SC2276 SOI Wafer

Número de catálogo.	SC2276
Material	Si
Diâmetro	2'' a 12''
Dopante	Boro/Fósforo/Antimônio/Arsênico
Condutividade	Tipo P/tipo N/tipo Intrínseco

A SAM fornece wafer de óxido térmico de silício com diâmetros de 2" a 12". Sempre escolhemos wafer de silício de primeira qualidade e sem defeitos como substrato para o crescimento de uma camada de óxido térmico de alta uniformidade para atender às suas necessidades específicas.

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Método de fabricação	Colagem por fusão
Diâmetro	2'' a 12''
Espessura do dispositivo	2 um ~ 300 um
Tolerância	+/- 0,5 um ~ 2 um
Orientação	<100> / <111> / <110> ou outros
Condutividade	Tipo P / Tipo N / Intrínseca
Dopante	Boro / Fósforo / Antimônio / Arsênico
Resistividade	0,001 ~ 100000 ohm-cm
Espessura do óxido	500A ~ 4 um
Tolerância	+/- 5%
Manusear wafer	>= 300 um
Superfície	Dupla face polida
Revestimento	Óxido e nitreto podem ser fornecidos em ambos os lados do wafer SOI

Método	Colagem por fusão
Diâmetro	2'' a 12''
Espessura do dispositivo	2 um ~ 300 um
Tolerância	+/- 0,5 um ~ 2 um
Orientação	<100> / <111> / <110> ou outros
Condutividade	Tipo P / Tipo N / Intrínseca
Dopante	Boro / Fósforo / Antimônio / Arsênico
Resistividade	0,001 ~ 100000 ohm-cm
Espessura do óxido	500A ~ 4 um
Tolerância	+/- 5%
Manusear wafer	>= 300 um
Superfície	Dupla face polida
Revestimento	Óxido e nitreto podem ser fornecidos em ambos os lados do wafer SOI

SC2276 SOI Wafer

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