Diodos Schottky de Carboneto de Silício (SiC) LM6706

Número de catálogo.	LM6706
Material	SiC
Temperatura operacional	-55℃ a 125℃
Dimensões	Depende do modelo

Stanford Advanced Materials oferece Diodos Schottky de Carbeto de Silício (SiC) de alto desempenho, projetados para eficiência superior, alta tolerância a tensão e comutação ultrarrápida. Ideais para eletrônica de potência e sistemas de energia renovável, nossos Diodos Schottky de SiC oferecem estabilidade térmica e confiabilidade excepcionais em ambientes exigentes.

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Diodos Schottky de Carboneto de Silício (SiC) LM6706

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Material

SiC

Temperatura operacional

-55℃ a 125℃

Dimensões

Depende do modelo

GR0396 Graphene C Nanopowder Diâmetro 100nm

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Cor

Preto

Pureza

>99%

APS

100nm

M.O.Q

500 g

GR0398 Nanopó de grafeno C

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Cor

Preto

Dimensões

1-5 nm

Pureza

>99%

M.O.Q

500 g

GR0903 Grafeno CVD

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GR0396 Graphene C Nanopowder Diâmetro 100nm

GR0398 Nanopó de grafeno C

GR0903 Grafeno CVD

SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)

SC0957 Bandejas de carbeto de silício (bandejas de SiC)

CM0968 Dissipadores de calor de cerâmica de óxido de berílio, BeO

BC0970 Beryllium Oxide Ceramic Substrates, BeO

CM0970 Substratos cerâmicos de óxido de berílio, BeO

CD1110 Cadmium Metal (Cd Metal) (CAS No.7440-43-9)

CD1110 Cádmio metálico (Cd metálico) (CAS No.7440-43-9)

CD1111 Sulfeto de cádmio em pó (CdS em pó) (CAS No.1306-23-6)

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Característica	Diodos Schottky de Carbeto de Silício (SiC)	Diodos Schottky Padrão
Tensão de Queda Direta (VF)	Ultra baixa (tão baixa quanto 0,2V-0,4V)	Tipicamente 0,3V-0,6V
Corrente de Vazamento (IR)	Muito baixa, especialmente em altas temperaturas	Mais alta, especialmente sob estresse térmico
Velocidade de Comutação	Rápida a ultra-rápida	Rápida
Faixa de Tensão Reversa	10V a 100V (varia por modelo)	Ampla, muitas vezes até 150V
Desempenho Térmico	Excelente, com designs compactos e termicamente otimizados	Varia conforme o fabricante e o pacote
Opções de Embalagem	SMDs compactos (SOD-323), etc.	Gama semelhante, mas geralmente mais volumosos nas mesmas classificações
Adequação à Aplicação	Otimizados para circuitos portáteis, automotivos e de LED	Retificação de uso geral
Preço	Levemente mais alto, justificado pelo desempenho e tamanho	Geralmente mais baixo para classificações comparáveis

Tipo	V_RRM	I_(AV)	I_FSM	V_F		I_R		Pacote
Tipo	V	A	A	V	I_F (A)	μA	V_R (V)	Pacote
SSC0665D	650	6	66	1.34	6	1.2	650	PDFN5*6
SSC0665-T	650	6	66	1.34	6	1.2	650	TO-220-2
Q-SSC0865-TF	650	16.1	42	1.4	10	1	650	TO-220F-2L
Q-SSC05120-T	1200	5	51	1.4	5	15	1200	TO-220AC
Q-SSC2090-T7	900	20	125	1.39	20	20	900	TO-247-2

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Diodos Schottky de Carboneto de Silício (SiC) LM6706

Descrição dos Diodos Schottky de Carbeto de Silício (SiC)

Aplicações dos Diodos Schottky de Carbeto de Silício (SiC)

Embalagem dos Diodos Schottky de Carbeto de Silício (SiC)

Dúvidas Frequentes sobre os Diodes Schottky de Carbeto de Silício (SiC)

Tabela de Comparação de Desempenho com Produtos Competitivos

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