Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas

Início

Produtos

CY8549 Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas

Número de catálogo.	CY8549
Material	Silício
Forma	Redondo

A Stanford Advanced Materials (SAM) é líder global no fornecimento de materiais avançados de qualidade superior para impulsionar a inovação em todos os setores. Construído com base em décadas de experiência, nosso substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 inch combina alta pureza de material com excepcional integridade estrutural, garantindo desempenho confiável em ambientes exigentes de pesquisa e fabricação. Comprometidos com a qualidade e a precisão, fornecemos soluções personalizadas que atendem às especificações mais rigorosas, permitindo que nossos parceiros obtenham resultados de alto nível. Confie na busca da excelência da SAM para obter materiais de ponta que seguem os mais altos padrões de confiabilidade e eficiência.

Pedido de cotação

Adicionar à comparação

Silicon (Si) Crystal Substrate (110) Dia. 3 inch

Descrição da

Especificação

Avaliações

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Descrição

Esse substrato de cristal de silício (Si) de alta qualidade apresenta uma orientação de cristal (110) e um diâmetro de 3 polegadas, o que o torna uma excelente opção para pesquisa e produção de semicondutores avançados. Sua estrutura de treliça uniformemente orientada garante excelente mobilidade de portadores e defeitos mínimos, proporcionando propriedades elétricas consistentes ideais para o desenvolvimento de MEMS, fabricação de sensores e microeletrônica de ponta.

Fabricado sob rígidos padrões de qualidade, nosso substrato passa por uma inspeção rigorosa quanto à planicidade, uniformidade de espessura e polimento da superfície. Sua estabilidade térmica superior permite o processamento em alta temperatura sem comprometer a integridade estrutural. A baixa densidade de defeitos e a excepcional precisão cristalográfica garantem resultados reproduzíveis em vários processos de deposição e gravação. Seja usado para pesquisa, prototipagem de dispositivos ou produção em larga escala, esse substrato de silício (110) oferece desempenho confiável, apoiando a inovação em eletrônica e optoeletrônica modernas.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Aplicações

O substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas oferece uma orientação de superfície estável e propriedades cristalográficas excepcionais, ideais para uma variedade de aplicações de alto desempenho. A orientação (110) permite maior mobilidade de elétrons e melhor eficiência do dispositivo, tornando esse substrato a escolha preferida para tecnologias avançadas. Seu diâmetro preciso de 3 polegadas garante ainda mais a uniformidade dos processos de película fina e da fabricação de dispositivos.

1. aplicações industriais

-Aplicação 1: Embalagem de microeletrônicos - A espessura uniforme permite a integração confiável de dispositivos e a montagem eficiente em embalagens de microeletrônicos.

-Aplicação 2: Fabricação de dispositivos de energia - A orientação da superfície (110) é excelente para lidar com altas tensões, aumentando o desempenho da eletrônica de potência.

2. aplicações de pesquisa

-Aplicação 1: Exploração de dispositivos quânticos - A alta cristalinidade promove a pesquisa avançada de novas estruturas e dispositivos quânticos.

-Aplicação 2: Estudos fotônicos - Sua baixa densidade de defeitos sustenta investigações sobre tecnologias ópticas e fotônicas de ponta.

3. aplicações comerciais

-Aplicação 1: Desenvolvimento de sensores - A mobilidade aprimorada dos elétrons ajuda a criar elementos sensores sensíveis e precisos.

-Aplicação 2: Componentes de tela - O diâmetro de 3 polegadas atende aos padrões do setor para painéis de tela e sistemas de imagem de última geração.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Diâmetro Embalagem de 3 polegadas

Cada substrato de cristal de silício (Si) de 3 polegadas com orientação (110) é fornecido em uma bolsa de polietileno antiestática dentro de caixas revestidas de espuma para evitar danos mecânicos. A embalagem selada evita a contaminação por poeira e umidade. Para manter a qualidade, armazene em um ambiente com baixa umidade e longe da luz solar direta. Outras opções de personalização, como embalagem ou rotulagem especializada, estão disponíveis mediante solicitação para atender a requisitos específicos de laboratório ou fabricação.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Perguntas frequentes

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas?

R1: O substrato de cristal de silício (Si) (110) com diâmetro de 3 polegadas normalmente apresenta alta pureza, orientação cristalina precisa e excelente condutividade térmica. Em particular, a orientação (110) oferece propriedades anisotrópicas exclusivas que beneficiam aplicações eletrônicas avançadas. A densidade do substrato é de aproximadamente 2,33 g/cm³, com um coeficiente de expansão térmica de 2,6×10^-6/K. O acabamento da superfície é geralmente polido em alto grau, permitindo a fabricação confiável de dispositivos para microeletrônica e MEMS.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: O manuseio adequado envolve o uso de luvas de sala limpa para evitar contaminação e o uso de pulseiras aterradas para evitar danos eletrostáticos. Sempre segure o substrato pelas bordas para minimizar o contato com a superfície polida. Armazene os wafers de silício em um ambiente limpo e seco, de preferência em suportes ou cassetes especializados para wafers. A manutenção de níveis estáveis de temperatura e umidade é fundamental para preservar a integridade da superfície e as propriedades cristalográficas do substrato.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas?

R3: Normalmente, esse substrato segue as especificações SEMI M1, que definem as características do material, as tolerâncias dimensionais e a qualidade da superfície. Os fabricantes geralmente mantêm certificações ISO 9001 para garantir controle de qualidade consistente e rastreabilidade em toda a produção. A inspeção segue métodos de metrologia padronizados para espessura e planicidade da superfície, e a conformidade com as diretrizes ambientais, como a RoHS, pode ser exigida para determinadas aplicações. Essas certificações ajudam a garantir que os wafers atendam aos rigorosos padrões de referência do setor em termos de desempenho e confiabilidade.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

Esse substrato de cristal de silício (Si) orientado de 3 polegadas de diâmetro (110) é reconhecido por sua excepcional uniformidade e disposição estável da rede, o que contribui diretamente para o maior desempenho e confiabilidade do dispositivo. A orientação do substrato ao longo do plano (110) garante uma densidade mínima de deslocamentos, resultando em uma estrutura cristalina mais consistente que pode suportar temperaturas elevadas e ambientes de alta pressão. A pureza química aprimorada também oferece suporte ao controle preciso de dopagem, permitindo propriedades superiores de condução elétrica essenciais para aplicações de semicondutores de ponta.

Exclusivamente, a combinação de uniformidade de espessura e defeitos mínimos de superfície nesse substrato de silício proporciona excelente resistência dielétrica para processos críticos de fabricação. Essa característica permite que ele mantenha a estabilidade dimensional durante etapas complexas, como a deposição de filme fino e a fotolitografia. A densidade mecânica robusta do wafer orientado a (110) também proporciona uma alta tolerância ao estresse mecânico, melhorando assim a longevidade e a confiabilidade em circuitos e sistemas eletrônicos complexos.

2. Aplicações em setores avançados

Amplamente utilizado na produção de transistores e sensores de alto desempenho, o substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas é particularmente valorizado em áreas como telecomunicações e aeroespacial. A orientação desse wafer permite menores taxas de defeitos na criação de componentes de microprocessadores, garantindo que os dispositivos possam operar mais rapidamente com maior eficiência energética. Essa vantagem diminui a geração geral de calor em vários circuitos integrados, reduzindo, assim, a probabilidade de falhas no sistema em aplicativos de missão crítica.

As empresas que se concentram em sistemas microeletromecânicos (MEMS) e dispositivos optoeletrônicos de última geração também se beneficiam significativamente da estrutura cristalográfica confiável do substrato. A orientação (110) permite uma gravação anisotrópica mais eficaz, o que é um fator essencial para a criação de canais e cavidades projetados com precisão para sensores e atuadores MEMS. Como a demanda por componentes eletrônicos menores e mais eficientes continua a crescer, esse substrato de silício continua sendo um material essencial para atividades de pesquisa e produção em larga escala em setores de tecnologia avançada.

Especificação

Propriedade	Valor
Fórmula Linear	Si
Pureza	99.99%
Orientação do cristal	(110)
Método de crescimento	Czochralski, zona flutuante
Estrutura do cristal	Cúbica
Constante de rede	a = 0,543095 nm
Ponto de fusão (°C)	1414 °C
Coeficiente de expansão térmica (/K)	2.3
Dureza (Mohs)	7
Massa molar (g/mol)	28.08
Densidade	2,33 g/cm³ (2330 kg/m³)
Índice de refração	n = 3.9766
Constante dielétrica	11,7 (silício não dopado em baixa frequência)
Estabilidade química	Estável
Tamanhos	Dia. 3 polegadas
Espessura típica	0,5 mm
Tolerâncias de tamanho	±0,1 mm
Tolerâncias de espessura	±0,015 mm
Precisão de orientação	±0.5°
Opções de polimento	Face única (1SP) ou face dupla (2SP)
Rugosidade da superfície (Ra)	< 0,5 nm
Faixa de transmissão espectral	1,1 µm (1100 nm)
Condutividade térmica (W/m-K)	46,06 @ 0 °C, 25,12 @ 100 °C, 12,56 @ 400 °C
Absorção de água	0%
Resistência à flexão	380 MPa
Temperatura máxima de trabalho Temperatura de trabalho	1200 °C

*As informações sobre o produto acima são baseadas em dados teóricos e servem apenas como referência. As especificações reais podem variar.

Caso

AVALIAÇÕES DOS CLIENTES

Avaliações dos clientes

Escreva uma avaliação

(0 reviews)

5 stars

4 stars

3 stars

2 stars

1 star

No reviews for current products.

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

CY8549 Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Descrição

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Aplicações

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Diâmetro Embalagem de 3 polegadas

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Perguntas frequentes

Informações relacionadas

Especificação

Caso

AVALIAÇÕES DOS CLIENTES

Comparar itens semelhantes

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

SOLICITAR UM ORÇAMENTO

Descarregar

PRECISA DE AJUDA?

CATEGORIAS POPULARES

NOSSA EMPRESA