CY8549 Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Descrição

Esse substrato de cristal de silício (Si) de alta qualidade apresenta uma orientação de cristal (110) e um diâmetro de 3 polegadas, o que o torna uma excelente opção para pesquisa e produção de semicondutores avançados. Sua estrutura de treliça uniformemente orientada garante excelente mobilidade de portadores e defeitos mínimos, proporcionando propriedades elétricas consistentes ideais para o desenvolvimento de MEMS, fabricação de sensores e microeletrônica de ponta.

Fabricado sob rígidos padrões de qualidade, nosso substrato passa por uma inspeção rigorosa quanto à planicidade, uniformidade de espessura e polimento da superfície. Sua estabilidade térmica superior permite o processamento em alta temperatura sem comprometer a integridade estrutural. A baixa densidade de defeitos e a excepcional precisão cristalográfica garantem resultados reproduzíveis em vários processos de deposição e gravação. Seja usado para pesquisa, prototipagem de dispositivos ou produção em larga escala, esse substrato de silício (110) oferece desempenho confiável, apoiando a inovação em eletrônica e optoeletrônica modernas.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Aplicações

O substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas oferece uma orientação de superfície estável e propriedades cristalográficas excepcionais, ideais para uma variedade de aplicações de alto desempenho. A orientação (110) permite maior mobilidade de elétrons e melhor eficiência do dispositivo, tornando esse substrato a escolha preferida para tecnologias avançadas. Seu diâmetro preciso de 3 polegadas garante ainda mais a uniformidade dos processos de película fina e da fabricação de dispositivos.

1. aplicações industriais

-Aplicação 1: Embalagem de microeletrônicos - A espessura uniforme permite a integração confiável de dispositivos e a montagem eficiente em embalagens de microeletrônicos.

-Aplicação 2: Fabricação de dispositivos de energia - A orientação da superfície (110) é excelente para lidar com altas tensões, aumentando o desempenho da eletrônica de potência.

2. aplicações de pesquisa

-Aplicação 1: Exploração de dispositivos quânticos - A alta cristalinidade promove a pesquisa avançada de novas estruturas e dispositivos quânticos.

-Aplicação 2: Estudos fotônicos - Sua baixa densidade de defeitos sustenta investigações sobre tecnologias ópticas e fotônicas de ponta.

3. aplicações comerciais

-Aplicação 1: Desenvolvimento de sensores - A mobilidade aprimorada dos elétrons ajuda a criar elementos sensores sensíveis e precisos.

-Aplicação 2: Componentes de tela - O diâmetro de 3 polegadas atende aos padrões do setor para painéis de tela e sistemas de imagem de última geração.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Diâmetro Embalagem de 3 polegadas

Cada substrato de cristal de silício (Si) de 3 polegadas com orientação (110) é fornecido em uma bolsa de polietileno antiestática dentro de caixas revestidas de espuma para evitar danos mecânicos. A embalagem selada evita a contaminação por poeira e umidade. Para manter a qualidade, armazene em um ambiente com baixa umidade e longe da luz solar direta. Outras opções de personalização, como embalagem ou rotulagem especializada, estão disponíveis mediante solicitação para atender a requisitos específicos de laboratório ou fabricação.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas Perguntas frequentes

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas?

R1: O substrato de cristal de silício (Si) (110) com diâmetro de 3 polegadas normalmente apresenta alta pureza, orientação cristalina precisa e excelente condutividade térmica. Em particular, a orientação (110) oferece propriedades anisotrópicas exclusivas que beneficiam aplicações eletrônicas avançadas. A densidade do substrato é de aproximadamente 2,33 g/cm³, com um coeficiente de expansão térmica de 2,6×10^-6/K. O acabamento da superfície é geralmente polido em alto grau, permitindo a fabricação confiável de dispositivos para microeletrônica e MEMS.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: O manuseio adequado envolve o uso de luvas de sala limpa para evitar contaminação e o uso de pulseiras aterradas para evitar danos eletrostáticos. Sempre segure o substrato pelas bordas para minimizar o contato com a superfície polida. Armazene os wafers de silício em um ambiente limpo e seco, de preferência em suportes ou cassetes especializados para wafers. A manutenção de níveis estáveis de temperatura e umidade é fundamental para preservar a integridade da superfície e as propriedades cristalográficas do substrato.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas?

R3: Normalmente, esse substrato segue as especificações SEMI M1, que definem as características do material, as tolerâncias dimensionais e a qualidade da superfície. Os fabricantes geralmente mantêm certificações ISO 9001 para garantir controle de qualidade consistente e rastreabilidade em toda a produção. A inspeção segue métodos de metrologia padronizados para espessura e planicidade da superfície, e a conformidade com as diretrizes ambientais, como a RoHS, pode ser exigida para determinadas aplicações. Essas certificações ajudam a garantir que os wafers atendam aos rigorosos padrões de referência do setor em termos de desempenho e confiabilidade.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

Esse substrato de cristal de silício (Si) orientado de 3 polegadas de diâmetro (110) é reconhecido por sua excepcional uniformidade e disposição estável da rede, o que contribui diretamente para o maior desempenho e confiabilidade do dispositivo. A orientação do substrato ao longo do plano (110) garante uma densidade mínima de deslocamentos, resultando em uma estrutura cristalina mais consistente que pode suportar temperaturas elevadas e ambientes de alta pressão. A pureza química aprimorada também oferece suporte ao controle preciso de dopagem, permitindo propriedades superiores de condução elétrica essenciais para aplicações de semicondutores de ponta.

Exclusivamente, a combinação de uniformidade de espessura e defeitos mínimos de superfície nesse substrato de silício proporciona excelente resistência dielétrica para processos críticos de fabricação. Essa característica permite que ele mantenha a estabilidade dimensional durante etapas complexas, como a deposição de filme fino e a fotolitografia. A densidade mecânica robusta do wafer orientado a (110) também proporciona uma alta tolerância ao estresse mecânico, melhorando assim a longevidade e a confiabilidade em circuitos e sistemas eletrônicos complexos.

2. Aplicações em setores avançados

Amplamente utilizado na produção de transistores e sensores de alto desempenho, o substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 3 polegadas é particularmente valorizado em áreas como telecomunicações e aeroespacial. A orientação desse wafer permite menores taxas de defeitos na criação de componentes de microprocessadores, garantindo que os dispositivos possam operar mais rapidamente com maior eficiência energética. Essa vantagem diminui a geração geral de calor em vários circuitos integrados, reduzindo, assim, a probabilidade de falhas no sistema em aplicativos de missão crítica.

As empresas que se concentram em sistemas microeletromecânicos (MEMS) e dispositivos optoeletrônicos de última geração também se beneficiam significativamente da estrutura cristalográfica confiável do substrato. A orientação (110) permite uma gravação anisotrópica mais eficaz, o que é um fator essencial para a criação de canais e cavidades projetados com precisão para sensores e atuadores MEMS. Como a demanda por componentes eletrônicos menores e mais eficientes continua a crescer, esse substrato de silício continua sendo um material essencial para atividades de pesquisa e produção em larga escala em setores de tecnologia avançada.