Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas

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Substrato de cristal de silício (Si) CY8550 (111) Dia. 3 polegadas

Número de catálogo.	CY8550
Material	Silício
Forma	Redondo

A Stanford Advanced Materials (SAM) é uma fornecedora líder do setor de materiais avançados, oferecendo um substrato de cristal de silício (Si) orientado para 3 polegadas (111) meticulosamente trabalhado que atende aos rigorosos padrões de qualidade de aplicações de semicondutores e de pesquisa. Nossa confiabilidade decorre de um histórico comprovado de fornecimento de materiais com integridade estrutural excepcional e desempenho consistente. Com foco principal na inovação, a SAM tem o compromisso de atender aos requisitos mais exigentes dos clientes, garantindo que cada produto reflita nossa dedicação inabalável à precisão e à qualidade. Conte com a experiência da SAM para apoiar seus projetos com materiais nos quais você pode confiar.

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Silicon (Si) Crystal Substrate (111) Dia. 3 inch

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Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas Descrição

Este substrato de cristal de silício (Si), com orientação cristalográfica (111) e diâmetro de 3 polegadas, foi projetado para oferecer desempenho superior em processos de semicondutores de ponta. Sua estrutura cristalina altamente ordenada proporciona excelente uniformidade e ótimas propriedades elétricas, tornando-o ideal para aplicações avançadas, como microeletrônica, fotônica e fabricação de sensores. Ao oferecer baixas densidades de defeitos e excepcional planicidade de superfície, esse substrato garante características de dispositivo confiáveis e resultados de produção consistentes.

Fabricado de acordo com os rígidos padrões do setor, cada wafer é submetido a rigorosos protocolos de controle de qualidade, incluindo medições precisas de espessura e inspeções meticulosas de superfície. Essa atenção cuidadosa aos detalhes ajuda a garantir rendimentos uniformes e desempenho estável do dispositivo, permitindo que pesquisadores e fabricantes mantenham parâmetros de processo precisos. Escolha esse substrato de cristal de silício (111) para obter o mais alto nível de confiabilidade e desempenho em seus projetos mais exigentes.

Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas Aplicações

O substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas é um wafer de alta qualidade conhecido por sua excelente orientação, confiabilidade e uniformidade de cristal. Com controle preciso de dopagem e defeitos mínimos, esse substrato fornece uma plataforma estável essencial para fabricação e pesquisa avançadas. Sua resistência mecânica superior, condutividade térmica e versatilidade funcional fazem dele um componente essencial em diversas aplicações industriais, científicas e comerciais.

1. aplicações industriais

-Produção de dispositivos semicondutores de alta eficiência, aproveitando a dopagem uniforme e a densidade mínima de defeitos do substrato

-Colagem robusta de wafer e fabricação de MEMS, garantindo resistência mecânica e estabilidade térmica

2. aplicações de pesquisa

-Caracterização de materiais de ponta e testes de crescimento de filmes finos

-Experimentos em escala quântica que exigem orientação cristalina consistente para medições precisas

3. aplicações comerciais

-Sensores ópticos e processamento de plasma, que dependem da alta pureza e durabilidade do wafer

-Protótipos de células solares em que a dopagem controlada e a qualidade cristalina superior melhoram a conversão de energia

Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas Embalagem

Cada substrato de cristal de silício (Si) (111) com diâmetro de 3 polegadas é selado individualmente em uma bolsa de camada dupla de grau de sala limpa, preenchida com gás de processamento inerte. As inserções de espuma e os materiais antiestáticos protegem o substrato contra o estresse mecânico, enquanto os recipientes de concha selados bloqueiam a poeira e a umidade. Armazene em um ambiente com temperatura e umidade controladas. A personalização opcional da embalagem inclui rotulagem especializada, sacos selados a vácuo e bandejas dissipadoras de estática para maior prevenção de contaminação.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas Perguntas frequentes

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas?

R1: Os substratos de cristal de silício (Si) na orientação (111), medindo três polegadas de diâmetro, normalmente apresentam um alto grau de perfeição cristalina, com baixas densidades de deslocamento. Eles apresentam excelente condutividade térmica, níveis moderados de dopagem para uma resistividade elétrica direcionada e uma baixa rugosidade de superfície (menos de 1 nm) para a fabricação de dispositivos. A orientação (111) é particularmente adequada para determinados processos de crescimento epitaxial, garantindo a qualidade uniforme da camada.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: O manuseio adequado de um substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas é essencial para preservar a qualidade da superfície e evitar contaminação. Os operadores devem usar luvas de sala limpa e pinças não abrasivas, manuseando os substratos apenas pelas bordas. O substrato deve ser armazenado em um suporte de wafer seguro e vedado a vácuo ou em um ambiente purgado com nitrogênio para minimizar a oxidação. Os controles de temperatura e umidade são essenciais para evitar deformações, formação de rachaduras ou degradação da superfície induzida pela umidade.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas?

R3: O substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas normalmente atende aos padrões SEMI M1 para materiais semicondutores, abordando tolerâncias dimensionais, planicidade de superfície, uniformidade de dopagem e controle de defeitos. Normas adicionais, como a ISO 9001, garantem um gerenciamento de qualidade robusto, enquanto processos rigorosos de qualificação de fornecedores garantem a pureza do substrato. A conformidade com as normas ambientais e de segurança, incluindo RoHS e REACH, ressalta ainda mais o compromisso com a confiabilidade, a rastreabilidade e a aceitação global do produto.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

Moldado a partir de um único cristal com orientação (111), o substrato de cristal de silício (Si) Dia. 3 polegadas demonstra um excelente alinhamento atômico que aumenta a mobilidade do portador e minimiza os defeitos do cristal. Essa orientação também proporciona uma topografia de superfície distinta, facilitando a deposição epitaxial uniforme, crucial para dispositivos eletrônicos confiáveis. Além disso, o arranjo refinado da rede do substrato contribui para uma espessura consistente e danos mínimos na subsuperfície, garantindo estabilidade mecânica superior em processos de alta temperatura.

Por meio de polimento cuidadoso e controle dimensional rigoroso, esse substrato de cristal de silício (Si) atende aos exigentes padrões de qualidade em termos de planicidade e rugosidade da superfície. O diâmetro de 3 polegadas permite que os fabricantes otimizem os rendimentos da produção sem comprometer a integridade do wafer. Ao proporcionar alta pureza cristalina e excepcional condutividade térmica, ele suporta etapas complexas de microfabricação, como litografia e dopagem, proporcionando, em última análise, um excelente desempenho em aplicações industriais e de pesquisa.

2. Aplicações em setores avançados

Encontrado em pesquisas altamente especializadas de semicondutores, o substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas desempenha um papel fundamental no desenvolvimento de tecnologias inovadoras para eletrônica de potência e circuitos integrados de alta velocidade. Sua orientação ajuda a garantir um excelente transporte de carga, permitindo que os projetistas de dispositivos obtenham o máximo de eficiência em suas aplicações. De transistores de alta frequência a sistemas microeletromecânicos avançados (MEMS), esse substrato forma uma base versátil para muitos projetos de ponta.

Adequados para componentes ópticos de precisão, esses substratos também são usados em aplicações fotônicas e processos de fabricação de sensores que exigem integridade cristalina de alto nível. Sua capacidade de suportar a integração heterogênea complexa abre novos caminhos na computação quântica e na nanotecnologia, em que o controle rigoroso das propriedades da interface é fundamental. Ao combinar estabilidade térmica superior com qualidade de superfície consistente, o substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 3 polegadas atende às necessidades em evolução dos setores avançados, que se concentram em ampliar os limites de desempenho.

Especificação

Propriedade	Valor
Fórmula Linear	Si
Pureza	99.99%
Orientação do cristal	(111)
Método de crescimento	Czochralski, zona flutuante
Estrutura do cristal	Cúbica
Constante de rede	a = 0,543095 nm
Ponto de fusão (°C)	1414 °C
Coeficiente de expansão térmica (/K)	2.3
Dureza (Mohs)	7
Massa molar (g/mol)	28.08
Densidade	2,33 g/cm³ (2330 kg/m³)
Índice de refração	n = 3.9766
Constante dielétrica	11,7 (silício não dopado em baixa frequência)
Estabilidade química	Estável
Tamanhos	Dia. 3 polegadas
Espessura típica	0,5 mm
Tolerâncias de tamanho	±0,1 mm
Tolerâncias de espessura	±0,015 mm
Precisão de orientação	±0.5°
Opções de polimento	Face única (1SP) ou face dupla (2SP)
Rugosidade da superfície (Ra)	< 0,5 nm
Faixa de transmissão espectral	1,1 µm (1100 nm)
Condutividade térmica (W/m-K)	46,06 A 0 °C, 25,12 A 100 °C, 12,56 A 400 °C
Absorção de água	0%
Resistência à flexão	380 MPa
Temperatura máxima de trabalho Temperatura de trabalho	1200 °C

*As informações sobre o produto acima são baseadas em dados teóricos e servem apenas como referência. As especificações reais podem variar.

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