Pastilha de carbeto de silício Substrato de SiC 2 em 3C tipo N

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CY8564 Pastilha de carboneto de silício Substrato de SiC 2 em 3C tipo N

Número de catálogo.	CY8564
Material	Carbeto de silício
Forma	Redondo
Formulário	Wafer

A Stanford Advanced Materials (SAM) é líder global no fornecimento de materiais de ponta e de alta qualidade para vários setores. Combinando décadas de experiência com o compromisso com a inovação contínua, a SAM fornece soluções de substrato de wafer de carbeto de silício (SiC) 2 em 3C tipo N, projetadas para o máximo desempenho e confiabilidade. Nossos produtos impulsionam os avanços na eletrônica de potência, permitindo maior eficiência, estabilidade térmica e durabilidade. Com um portfólio abrangente e um foco inabalável na satisfação do cliente, a SAM se destaca por sua experiência e confiabilidade em materiais avançados - capacitando as empresas a construir a próxima geração de tecnologias de semicondutores.

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Silicon Carbide Wafer SiC Substrate 2 in 3C N-type

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Substrato de wafer de carbeto de silício SiC de 2 polegadas tipo 3C N Descrição

Nosso substrato de carbeto de silício (SiC) tipo 3C N de 2 polegadas oferece excepcional condutividade térmica, ampla energia de bandgap e excelente resistência mecânica, o que o torna a escolha ideal para aplicações de dispositivos eletrônicos de potência e de alta frequência de ponta. Seu polítipo 3C garante uma estrutura cristalina estável que proporciona um desempenho superior em ambientes exigentes, incluindo temperaturas elevadas e altas tensões. Essas propriedades exclusivas permitem uma operação confiável em condições adversas, reduzindo a perda de energia e garantindo um gerenciamento de energia eficiente.

Fabricado sob rigorosos padrões de qualidade, cada wafer de SiC passa por uma inspeção rigorosa para manter baixas densidades de defeitos e níveis uniformes de dopagem. Essa atenção aos detalhes maximiza o rendimento e a reprodutibilidade do dispositivo, fornecendo uma plataforma consistente para pesquisa, desenvolvimento e fabricação em escala comercial. Seja para pesquisa avançada de semicondutores ou para sistemas industriais de alto desempenho, nosso substrato de SiC tipo 3C N de 2 polegadas promete confiabilidade e excelência em desempenho.

Substrato de wafer de carbeto de silício SiC de 2 polegadas em aplicações do tipo 3C N

O wafer de carbeto de silício (substrato de SiC de 2 pol. 3C tipo N) oferece uma combinação de amplo bandgap, alta condutividade térmica e excelente estabilidade química. Essas propriedades exclusivas permitem um desempenho superior em dispositivos de alta potência e alta frequência, mantendo a durabilidade em ambientes adversos. Sua confiabilidade e eficiência o tornam uma plataforma ideal para diversas aplicações em todos os setores, de eletrônicos avançados a sistemas de energia e muito mais.

1. Aplicações em eletrônicos e semicondutores

-Conversão de energia: comutação aprimorada de alta tensão em inversores solares e fontes de alimentação industriais

-Dispositivos de RF: transistores de alta frequência para estações de base de telecomunicações e redes sem fio

2. aplicações de energia e renováveis

-Equipamentos fotovoltaicos: Substratos estáveis para fabricação de painéis solares e sistemas de teste

-Eletrônica para turbinas eólicas: Módulos de controle duráveis para regulação eficiente de energia

3. instrumentos científicos e de pesquisa

-Estudos de ciência dos materiais: Investigação de estruturas cristalinas e desempenho de dispositivos sob condições extremas

-Desenvolvimento de sensores avançados: Substratos de sensores robustos para detecção de temperatura, pressão e produtos químicos

Pastilha de carbeto de silício Substrato de SiC 2 em embalagem tipo 3C N

Cada wafer de carbeto de silício é cuidadosamente colocado entre camadas de espuma macia à prova de ESD e selado em uma bolsa a vácuo antiestática para proteger contra umidade e contaminação. Os pacotes selados são então embalados em recipientes resistentes e herméticos. Os wafers devem ser armazenados em um ambiente de sala limpa e com umidade controlada. Também oferecemos rotulagem personalizada, espessuras de espuma especializadas e tamanhos de contêineres sob medida, mediante solicitação, para atender a requisitos específicos de manuseio ou envio.

Embalagem: Selado a vácuo, caixa de madeira ou personalizado.

Perguntas frequentes sobre o substrato de wafer de carbeto de silício SiC 2 em 3C tipo N

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de wafer de carbeto de silício SiC 2 em 3C tipo N?

A1: Os substratos de carbeto de silício (SiC) de 2 polegadas e 3C do tipo N normalmente apresentam um amplo bandgap de cerca de 2,2 eV, alta condutividade térmica, inércia química superior e resistência mecânica robusta. O polímero 3C oferece vantagens exclusivas para aplicações de energia e alta frequência. A dopagem do tipo N garante uma concentração controlada de elétrons, permitindo uma condutividade elétrica estável. Esses substratos são particularmente adequados para o desenvolvimento de dispositivos avançados em ambientes agressivos ou de alta potência.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Esses substratos são frágeis e devem ser manuseados com luvas limpas e não abrasivas em um ambiente controlado para evitar contaminação ou danos. Evite tocar as superfícies com as mãos desprotegidas ou com ferramentas que possam causar arranhões ou partículas. Armazene-os em uma área limpa, com temperatura controlada e baixa umidade. Use transportadores ou contêineres especiais para o transporte a fim de manter a integridade do substrato e minimizar o estresse mecânico.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de wafer de carbeto de silício SiC 2 em 3C tipo N?

R3: O wafer de carbeto de silício SiC substrato 2 em 3C tipo N normalmente atende a requisitos rigorosos de pureza e densidade de defeitos, conforme descrito pela ISO 9001 e pelos padrões de qualidade de semicondutores relevantes. Os fabricantes geralmente aplicam métodos de inspeção avançados, como topografia de raios X e fotoluminescência, para verificar a qualidade cristalina. Esses substratos também podem aderir às diretrizes RoHS e REACH, garantindo a conformidade com as normas ambientais e de segurança para distribuição global.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

Esse substrato de wafer de carbeto de silício SiC de 2 em 3C tipo N é composto de um politopo cúbico conhecido por suas excelentes capacidades elétricas e térmicas. O amplo bandgap do material permite a operação em alta temperatura e reduz as perdas de energia, o que é particularmente vantajoso em sistemas compactos que exigem desempenho confiável e consistente. Além disso, sua notável resistência química ajuda a manter a integridade do substrato durante as desafiadoras etapas de processamento, permitindo a resistência em ambientes industriais adversos.

A estabilidade sem precedentes da estrutura de rede distingue o wafer de SiC 3C de outros substratos semicondutores, garantindo o mínimo de defeitos de cristal, apesar das condições de produção exigentes. Além disso, a dopagem do tipo N garante a condução controlada de elétrons, resultando em alta mobilidade de portadores, crucial para a fabricação de dispositivos avançados. Essas propriedades tornam o wafer um dos principais concorrentes para a eletrônica de potência, exigindo menos elementos condutores e proporcionando um gerenciamento superior da corrente elétrica.

2. Aplicações em setores avançados

As aplicações de energia de ponta se beneficiam da resiliência do wafer em condições de alta temperatura e alta tensão, tornando-o o principal candidato para módulos de energia de veículos elétricos e inversores de energia renovável. Sua capacidade de lidar com cargas de calor significativas sem degradação do desempenho garante maior eficiência em sistemas automotivos, aeroespaciais e de manutenção preditiva, em que a densidade de energia e a resistência operacional são fundamentais.

Diversos segmentos de nanotecnologia e optoeletrônicos também exploram esse substrato de SiC tipo N 3C para sensores e transceptores de última geração. Sua combinação exclusiva de resistência mecânica e baixa densidade de defeitos aumenta a confiabilidade dos dispositivos usados em infraestrutura de telecomunicações, sistemas de radar e várias tecnologias emergentes. Consequentemente, esse wafer oferece suporte ao desenvolvimento de produtos de ponta, colocando-o na vanguarda de vários setores de alta tecnologia.

Especificação

Grau	Grau de chupeta
Diâmetro	50,8 mm +/- 0,5 mm
Espessura	350 um +/- 25 um
Orientação do wafer	No eixo: <111> +/-0,5 graus
Tipo de polímero	3C
Densidade de microtubos (MPD)	<0,5 ^cm-2
Resistividade elétrica	≤0,0008Ohm-cm
Orientação plana primária	<1-10>+/-5 graus
Comprimento do plano primário	15,9 mm+/-1,7 mm
TTV	≤5um
Arco	≤15um
Urdidura	≤30um
Rugosidade	Polimento da face C Ra≤1nm
Rugosidade	CMP da face Si Ra≤0,2nm

Propriedades

Propriedade	Cristal único de 3C-SiC
Parâmetros de rede (Å)	a=4.35
Sequência de empilhamento	ABC
Densidade (g/cm³)	2.36
Dureza de Mohs	~9.2
Coeficiente de expansão térmica (CTE) (/K)	3-4^x10-6
Constante dielétrica	c ~ 9.72
Tipo de dopagem	Tipo N
Band-gap (eV)	2.4
Velocidade de desvio de saturação (m/s)	2.7 x¹⁰⁵

*As informações sobre o produto acima são baseadas em dados teóricos e servem apenas como referência. As especificações reais podem variar.

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CY8564 Pastilha de carboneto de silício Substrato de SiC 2 em 3C tipo N

Substrato de wafer de carbeto de silício SiC de 2 polegadas tipo 3C N Descrição

Substrato de wafer de carbeto de silício SiC de 2 polegadas em aplicações do tipo 3C N

Pastilha de carbeto de silício Substrato de SiC 2 em embalagem tipo 3C N

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