Descontinuado (Descontinuado) SC8589 Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (100) Dia. 8 polegadas

Name: (Discontinued) SC8589 Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (100) Dia. 8 inch
SKU: SC8589
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Número de catálogo.	SC8589
Material	Silício
Forma	Redondo
Formulário	Wafer

A Stanford Advanced Materials (SAM) continua sendo um fornecedor confiável de soluções de materiais avançados para aplicações eletrônicas e de semicondutores de alto desempenho. Nossos wafers de silício sobre isolador (SOI) de 8 polegadas (200 mm de diâmetro) apresentam uma orientação (100) e oferecem isolamento elétrico excepcional, interferência parasitária reduzida e velocidade de dispositivo aprimorada. Desenvolvidos sob rigoroso controle de qualidade, esses wafers oferecem uma plataforma robusta e confiável para dispositivos microeletrônicos, MEMS e de energia de última geração. Com anos de experiência, a SAM garante o desempenho ideal do material e o fornecimento consistente, solidificando nossa reputação como líder do setor em confiabilidade e inovação.

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Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (100) Dia. 8 inch

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(Descontinuado) SC8589 Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (100) Dia. 8 polegadas

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Material

Silício

Forma

Redondo

Formulário

Wafer

CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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Pureza

99,99%

Fórmula química

GaSb

Diâmetro

2", 3", 4"

Espessura

500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm

Orientação

(100) / (111) ±0,5°

NR2172 Wafer de nitreto de gálio

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Material

GaN

Espessura

300-450um

Diâmetro

Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"

Wafer de safira CY2173

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Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

GA2156 Gallium Antimonide Single Crystal Substrate

CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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Parâmetro	Especificação
Diâmetro	200 mm
Camada do dispositivo
Espessura	2 ~ 300 μm
Tipo de dispositivo	P ou N
Orientação	(100)
Camada da caixa
Espessura	até 3,5 μm
Uniformidade	± 2.5%
Wafer com alça
Tipo	P ou N
Resistividade	10-20, personalizado

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Descontinuado (Descontinuado) SC8589 Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (100) Dia. 8 polegadas

Wafer de silício sobre isolador Wafer SOI (100) Dia. 8 polegadas Descrição

Wafer de silício sobre isolador Wafer SOI (100) Dia. 8 polegadas Aplicações

Wafer de silício sobre isolador Wafer SOI (100) Dia. 8 polegadas Embalagem

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