CY2488 Substratos de cristal de fluoreto de lantânio (LaF3)

Número de catálogo.	CY2488
Dimensões	10 x 10x 0,5 mm 1sp; 10 x 10 x 0,5 mm; Ori.Dia x 0,5
Material	LaF3
Orientação	(100) (110) +/- 0.5o
Método de crescimento	Bridgman
Formulário	Substrato

O substrato de cristal de fluoreto de lantânio é amplamente utilizado no substrato de prisma de janela infravermelho e ultravioleta. A Stanford Advanced Materials (SAM) pode oferecer uma variedade de tamanhos de substratos de cristal único de LaF3.

Produtos relacionados: Substrato de cristal LiAlO2, Substrato de cristal LAST, Substrato de cristal LiF, Substrato de cristal NdGaO3, Substrato de cristal único de antimoneto de gálio.

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CY2488 Substratos de cristal de fluoreto de lantânio (LaF3)

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Dimensões

10 x 10x 0,5 mm 1sp; 10 x 10 x 0,5 mm; Ori.Dia x 0,5

Material

LaF3

Orientação

(100) (110) +/- 0.5o

Método de crescimento

Bridgman

Formulário

Substrato

CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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Pureza

99,99%

Fórmula química

GaSb

Diâmetro

2", 3", 4"

Espessura

500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm

Orientação

(100) / (111) ±0,5°

NR2172 Wafer de nitreto de gálio

Adicionar à lista

Material

GaN

Espessura

300-450um

Diâmetro

Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"

Wafer de safira CY2173

Adicionar à lista

Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

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CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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*Código de controlo

Substrato de cristal único de LaF3
Estrutura do cristal	Trigonal: a= b= 7,190 A, c=7,367 A, alfa=beta ^=90o, gama ^=120o
Método de crescimento	Bridgman
Ponto de fusão	1493 ^oC
Pureza do cristal	> 99.9%
Direção de crescimento do cristal	< 0001 >
Densidade	5,936 ^g/cm3
Dureza	4.5 (M)
Expansão térmica	11,9 ^x10-6/ K // c¹⁵,8 ^x10-6/ K //^a
Polimento	EPI de um lado polido pela tecnologia CMP com menos danos à estrutura da subsuperfície.
Embalagem	Embalado em um saco plástico de grau 100 em uma sala limpa de classe 1000.

Substrato de cristal único de LaF3
Estrutura cristalina	Trigonal: a= b= 7,190 A, c=7,367 A, alfa=beta ^=90o, gama ^=120o
Método de crescimento	Bridgman
Ponto de fusão	1493 ^oC
Pureza do cristal	> 99.9%
Direção de crescimento do cristal	< 0001 >
Densidade	5,936 ^g/cm3
Dureza	4.5 (M)
Expansão térmica	11,9 ^x10-6/ K // c¹⁵,8 ^x10-6/ K //^a
Polimento	EPI de um lado polido pela tecnologia CMP com menos danos à estrutura da subsuperfície.
Embalagem	Embalado em um saco plástico de grau 100 em uma sala limpa de classe 1000.

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

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