Wafer de Silício Policristalino CY6412

Número de catálogo.	CY6412
Pureza	6N-7N, etc.
Formulário	Wafer
Diâmetro	6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas

Wafer de Silício Policristalino é composto por múltiplas estruturas cristalinas que se formam aleatoriamente durante o processo de resfriamento. Stanford Advanced Materials (SAM) está comprometido com a pesquisa, desenvolvimento e produção de sistemas ópticos de infravermelho de onda média (MWIR) e infravermelho de onda longa (LWIR).

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Wafer de Silício Policristalino CY6412

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Pureza

6N-7N, etc.

Formulário

Wafer

Diâmetro

6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas

CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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Pureza

99,99%

Fórmula química

GaSb

Diâmetro

2", 3", 4"

Espessura

500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm

Orientação

(100) / (111) ±0,5°

NR2172 Wafer de nitreto de gálio

Adicionar à lista

Material

GaN

Espessura

300-450um

Diâmetro

Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"

Wafer de safira CY2173

Adicionar à lista

Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

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CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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Item	Valor Teórico
Pureza	6N-7N, etc.
Forma	Wafer
Diâmetro	6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas
Espessura	200±20µm
Ponto de Fusão	1410℃
Ponto de Ebulição	2355℃
Resistividade	0,5~2Ω·cm

Item	Valor Teórico
Pureza	6N-7N, etc.
Forma	Wafer
Diâmetro	6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas
Espessura	200±20μm
Ponto de Fusão	1410℃
Ponto de Ebulição	2355℃
Resistividade	0,5~2Ω·cm

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

Wafer de Silício Policristalino CY6412

Descrição do Wafer de Silício Policristalino

Especificações do Wafer de Silício Policristalino

Aplicação do Wafer de Silício Policristalino

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