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ST0895 Alvo de Sputtering de Cobalto Ferro Boro, Co/Fe/B

Número de catálogo. ST0895
Composição Liga Co-Fe-B (Co:Fe:B = 40:40:20 em% padrão; outras proporções disponíveis)
Pureza ≥99% (99,9% / 99,95% disponível)
Forma Discos ou personalizados
Sinônimos Alvo de pulverização de cobalto-ferro-boro, alvo de CoFeB, alvo de liga de CoFeB, alvo de pulverização magnética

Alvos de sputtering de Cobalto-Ferro-Boro (CoFeB) da Stanford Advanced Materials. O CoFeB é uma liga magnética macia amplamente utilizada para a fabricação de junções de túnel magnético (MTJ) em STT-MRAM, sensores magnéticos e dispositivos spintrônicos. Composição padrão: Co:Fe:B = 40:40:20 at% (ponto de fusão ~1250°C, densidade ~8,8 g/cm^3). Outras proporções disponíveis (60:20:20, 20:60:20 etc.). Discos padrão de 2" a 6" ou tamanhos personalizados. Ligação de índio disponível.

Produtos relacionados: Alvo de pulverização de cobalto (Co) | Alvo de pulverização de ferro (Fe) | Alvo de pulverização de boro (B) | Alvo de pulverização de óxido de magnésio (MgO)

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Composição
Liga Co-Fe-B (Co:Fe:B = 40:40:20 em% padrão; outras proporções disponíveis)
Pureza
≥99% (99,9% / 99,95% disponível)
Forma
Discos ou personalizados
Sinônimos
Alvo de pulverização de cobalto-ferro-boro, alvo de CoFeB, alvo de liga de CoFeB, alvo de pulverização magnética
 
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Dimensões
Alvos circulares Diâmetro 10-400 mm Espessura 2-28
Material
R04200 R04210
Número CAS
7440-03-1
Densidade
8,57 g/cm3
Acabamento da superfície
Polido
Formulário
Alvo
Pureza
≥99.9%
 
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Material
R4251 (Nb-1Zr) R4261 (Nb-1Zr)
Acabamento da superfície
Polido
Dimensões
Alvos circulares Diâmetro de 10 a 400 mm Espessura de 2 a 28 mm
Pureza
99.9% 99.95% 99.99%
 
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Material
90% In2O3+10% SnO2 / 95% In2O3+5% SnO2
Pureza
>=99.99%
Densidade
7,1g/cm3

FAQ

Selado a vácuo para evitar a oxidação. Embalagem personalizada disponível para pedidos em grandes quantidades.

Co:Fe:B = 40:40:20 at% é a composição mais comum para dispositivos STT-MRAM e MTJ. Essa proporção proporciona polarização de spin ideal, baixo amortecimento e alta TMR após o recozimento. Outras proporções (60:20:20, 20:60:20) estão disponíveis para aplicações específicas.

Por que o CoFeB é usado na MRAM?

O CoFeB oferece três propriedades principais: alta polarização de spin (~70%) para alta TMR, baixo amortecimento magnético para comutação rápida e estrutura amorfa conforme depositada que permite uma interface de barreira de túnel de MgO de alta qualidade após o recozimento.

É necessário recozer os filmes de CoFeB após a deposição?

Sim, normalmente é necessário um recozimento a 300-400°C para cristalizar o CoFeB e obter uma alta TMR. O B segrega-se na interface MgO, o que melhora a filtragem de spin.

Qual método de pulverização catódica devo usar?

O CoFeB é condutivo, portanto, a pulverização catódica CC funciona bem. Para processos reativos ou para minimizar o arco voltaico, também é possível usar DC ou RF pulsado.

Os alvos CoFeB precisam de colagem?

Sim, a ligação é recomendada. A liga CoFeB pode ser frágil, dependendo da composição, e a ligação a uma placa de apoio de cobre melhora o gerenciamento térmico e evita rachaduras.

O alvo CoFeB é magnético?

Sim, o CoFeB é ferromagnético. Manuseie-o com cuidado próximo a equipamentos sensíveis. O alvo em si é magnético, mas pode ser pulverizado em sistemas magnetrônicos padrão.

De que pureza preciso para aplicações de MRAM?

99,9% (3N) é típico para a maioria das pesquisas de MRAM e MTJ. 99,95% (3N5) é recomendado para produção e aplicações avançadas em que traços de impurezas podem afetar o desempenho do dispositivo.

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